[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201710100538.3
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN107128869A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 黃富駿;嚴立丞;吳咨亨;蔡易恒;鄭創仁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

技術領域

本發明實施例涉及半導體結構及其制造方法。

背景技術

包括半導體器件在內的電子設備對許多現代裝置而言至關重要。半導體器件經歷了快速增長。材料和設計的技術進步已生產出幾代半導體器件，其中每一代都比上一代更小，并具有更復雜的電路。在進步和創新過程中，功能密度(即，每個芯片區互連器件的數量)普遍增加，而其幾何尺寸(即使用制造工藝中可制造的最小組件)則在減小。這些進步增加了加工和制造半導體器件的復雜性。

微電子機械系統(MEMS)器件近期也得到了發展，并且普遍用于電子設備中。MEMS器件為微型器件，其尺寸范圍通常為從1微米以下到幾毫米。MEMS器件包括使用半導體材料制造以形成機械或電子功能件。為實現機電功能，MEMS器件的復雜性增加，并具有大量元件(例如，固定或可移動元件)。MEMS器件廣泛使用于各種裝置中。MEMS裝置包括運動傳感器、壓力傳感器、打印機噴嘴等裝置。其他MEMS裝置包括用于測量線性加速度的加速計等慣性傳感器，以及用于測量角速度的陀螺儀。此外，MEMS裝置可擴展為可動反射鏡等光學裝置，以及射頻(RF)開關等射頻裝置等裝置。

由于隨著技術的發展，器件的整體尺寸減小，而功能和電路數量增加，其設計越來越復雜。器件具有許多復雜步驟，并且制造的復雜性增加，制造復雜性的增加可能導致高良率損失、翹曲和低信噪比(SNR)等缺陷。因此，需要不斷改進電子設備中的器件結構和制造方法，以提高器件性能，并降低制造成本和加工時間。

發明內容

根據本發明的一個實施例，提供了一種半導體結構，包括：襯底；介電層，設置在所述襯底上方；傳感結構，設置在所述介電層上方；接合結構，設置在所述介電層上方；導電層，覆蓋所述傳感結構；以及阻擋層，設置在所述介電層和所述導電層上方，其中，所述導電層和所述接合結構至少部分地從所述阻擋層暴露。

根據本發明的另一實施例，還提供了一種半導體結構，包括：互補金屬氧化物半導體襯底；介電層，設置在所述互補金屬氧化物半導體襯底上方；傳感結構，設置在所述介電層上方；接合結構，設置在所述介電層上方；導電層，覆蓋所述傳感結構；阻擋層，設置在所述介電層上方以及圍繞所述傳感結構和所述接合結構；微電子機械系統襯底，設置為與所述阻擋層相對；以及導電插塞，設置在所述微電子機械系統襯底上方并且從所述微電子機械系統襯底凸出，其中，所述導電層至少部分地從所述阻擋層暴露，以及所述導電插塞與所述接合結構接合。

根據本發明的又一實施例，還提供了一種制造半導體結構的方法，所述方法包括：接收第一襯底，所述第一襯底包括設置在所述第一襯底上方的介電層；在所述介電層上方形成傳感結構和接合結構；在所述傳感結構上設置導電層；在所述介電層上方設置阻擋層；除去所述阻擋層的第一部分，以至少部分地暴露位于所述傳感結構上的所述導電層；以及除去所述阻擋層的第二部分，以至少部分地暴露所述接合結構。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳地理解本發明的各個方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1為根據本發明的一些實施例的半導體結構的示意性截面圖。

圖2為根據本發明的一些實施例的半導體結構的示意性截面圖。

圖3為根據本發明的一些實施例的半導體結構的示意性截面圖。

圖4為根據本發明的一些實施例的半導體結構的示意性截面圖。

圖5為根據本發明的一些實施例的制造半導體結構的方法流程圖。

圖5A至圖5Q為根據本發明的一些實施例的通過圖5中的方法制造半導體結構的示意圖。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。