[發明專利]一種截止波長位移單模光纖有效
| 申請號： | 201710100067.6 | 申請日： | 2017-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN106772788B | 公開（公告）日： | 2019-12-13 |
| 發明（設計）人： | 蔣新力;范艷層;湯明明;周慧;沈一春 | 申請（專利權）人： | 中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/036 | 分類號： | G02B6/036 |
| 代理公司： | 44334 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 | 代理人： | 薛曉偉 |
| 地址： | 226009 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 截止 波長 位移 單模 光纖 | ||
1.一種截止波長位移單模光纖，其特征在于，包括漸變型折射率的芯層、依次包覆的階躍折射率的內包層、凹陷包層、中包層和外包層，其中：
所述芯層的半徑為R1，R1的范圍為5.5～8.5μm，所述芯層軸心的折射率為n1，折射率系數α為4.4或30，所述芯層軸心相對所述外包層的折射率差為△n1，△n1的范圍為0.1％～0.3％；
所述內包層的半徑為R2，所述內包層的厚度為R2-R1，R2-R1的范圍為5～25μm，所述內包層的折射率為n2，所述內包層相對所述外包層的折射率差為△n2，△n2的范圍為-0.2％～0％；
所述凹陷包層的半徑為R3，所述凹陷包層的厚度為R3-R2，R3-R2的范圍為4.5～12μm，所述凹陷包層的折射率為n3，所述凹陷包層相對所述外包層的折射率差為△n3，△n3的范圍為-0.45％～-0.25％；
所述中包層的半徑為R4，所述中包層的厚度為R4-R3，R4-R3的范圍為大于10μm，所述中包層的折射率為n4，所述中包層相對所述外包層的折射率差為△n4，△n4的范圍為△n2～0％；
所述外包層的半徑為R5，R5的范圍為60～65μm，所述外包層的折射率為nc。
2.如權利要求1所述的截止波長位移單模光纖，其特征在于，所述外包層的半徑R5的典型值為62.5μm。
3.如權利要求1所述的截止波長位移單模光纖，其特征在于，所述光纖在波長1550nm下的有效面積為100～170μm2；在波長1550nm下的色散大于18ps/nm/km；在波長1550nm下的衰減系數低于0.18dB/km；所述光纖的光纜截止波長小于1530nm。
4.如權利要求3所述的截止波長位移單模光纖，其特征在于，所述光纖的有效面積為100～145μm2時，在波長1550nm下，30mm半徑-100圈的宏彎損耗小于0.05dB，在波長1625nm下，30mm半徑-100圈的宏彎損耗小于0.1dB。
5.如權利要求3所述的截止波長位移單模光纖，其特征在于，所述光纖的有效面積為145～170μm2時，在波長1550nm下，30mm半徑-100圈的宏彎損耗小于0.15dB，在波長1625nm下，30mm半徑-100圈的宏彎損耗小于0.3dB。
6.如權利要求1所述的截止波長位移單模光纖，其特征在于，所述光纖的應用波長范圍為1535～1625nm。
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