[發明專利]承載件在審
| 申請號: | 201710099844.X | 申請日: | 2017-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN108428635A | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發明(設計)人: | 蕭錦池;葉汶岳;魏慶全 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載件 封裝部 流道部 封裝模組 封裝樹脂 封裝材 注膠口 鄰接 穿孔 后移 渣料 制程 封裝 | ||
一種承載件,定義有供接置電子元件的封裝部以及鄰接該封裝部且供封裝材通過的流道部,其中該流道部對應封裝模組的注膠口處形成有多個穿孔,以利于封裝制程后移除封裝樹脂的渣料。
技術領域
本發明關于一種芯片承載件,特別是關于一種用于封裝制程的芯片承載件。
背景技術
傳統雙側(double side)模壓半導體封裝件以成批方式構建于一整片的芯片承載件(即導線架或封裝基板單元組合建構的平面)上,該芯片承載件表面預先定義出多個呈矩陣排列的獨立封裝單元,每一獨立的封裝單元俾供一個以上的半導體芯片黏覆以形成一半導體封裝件。另外,如欲令配置完成的半導體芯片得與外界維持氣密隔離以達到電性區隔及靜音防塵的需求,通過一封裝模具進行雙側模壓作業以形成一用以包覆該半導體芯片的封裝膠體。
如圖1A所示,該雙側模壓半導體封裝件于一承載件1上設置多個半導體芯片7,其以覆晶(利用焊錫凸塊70)或打線方式(利用焊線71)電性連接該承載件1的上下側,再以封裝膠體(Encapsulant)8包覆該多個半導體芯片7,其中,該承載件1可為線路板(不會上下離形)或一具有分離層10的夾心式線路結構11(可上下離形)。
現有雙側模壓制程中,如圖1B所示的封裝模組9,其以模具9a,9b夾持承載件1,且該模具9a,9b之間以注膠道(Runner)91連結至共同的埠口90。于運作時,熔融狀的封裝樹脂自該多個埠口90雙向流經該多個注膠道91而分送至該注膠道91的末端的注膠口(Gate),以將該封裝樹脂注入該多個模具9a,9b的模穴中,待該熔融封裝樹脂固化成封裝膠體8后,移除該封裝模組9,并移除(Degating)樹脂渣料(即該埠口90與注膠道91中的封裝樹脂)。
品質優良的半導體封裝件要求該封裝膠體8與該承載件1之間具有最佳的表面附著度,故為了達到高附著性的目的,業界一般均使用高黏著性樹脂作為該封裝膠體8的材料。
然而,若該封裝膠體8與該承載件1之間的表面附著力大于該承載件1本身的平面支撐力,當移除該承載件1上的樹脂渣料時,將導致該承載件1發生變形(Deformation)。
再者,當該承載件1的厚度減小而相對地降低其剛性(Rigidity)時,例如,該承載件1作為如四邊形平面無導腳式封裝件(Quad Flat Non-leaded Package,簡稱QFN)、薄型導線架封裝件(Thin Quad Flat Package,簡稱TQFP)或球柵陣列半導體裝置(Ball GridArray,簡稱BGA)等的無腳式芯片承載件(Leadless Chip Carrier,簡稱LCC),該承載件1的變形程度將更為嚴重而喪失其平面度。
因此,如何克服上述現有技術中的變形問題,實已成目前亟欲解決的課題。
發明內容
鑒于上述現有技術的缺失,本發明遂提供一種承載件,包括:封裝部,其用以接置電子元件且令封裝材包覆該電子元件;以及流道部,其鄰接該封裝部且具有多個的穿孔,以供封裝材通過該流道部至該封裝部。
前述的承載件中,該封裝部具有絕緣表面。
前述的承載件中,該流道部具有金屬層。例如,該穿孔位于該金屬層中。
前述的承載件中,該穿孔沿該流道部的邊緣布設。
前述的承載件具有相對的上表面及下表面,且該承載件的上、下表面定義有該封裝部及該流道部,該流道部對應封裝模組的注膠口位置。
由上可知,本發明的承載件主要通過該流道部具有穿孔的設計(即對應模具的注膠口位置形成中空孔洞),以于封裝制程后,即可簡易透過彎折方式分離封裝件與樹脂渣料,故相較于現有雙側型封裝件,即便封裝膠體與該承載件之間的表面附著力大于該承載件本身的平面支撐力,仍可輕易移除該承載件上的樹脂渣料,避免該承載件發生變形。
附圖說明
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于矽品精密工業股份有限公司,未經矽品精密工業股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710099844.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:垂直納米線晶體管與其制作方法
- 下一篇:一種芯片的快速植錫裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





