[發明專利]一種濕度探測器及其制備方法有效
| 申請號： | 201710098831.0 | 申請日： | 2017-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN106908486B | 公開（公告）日： | 2019-09-06 |
| 發明（設計）人： | 趙嵩卿;楊睿 | 申請（專利權）人： | 中國石油大學(北京) |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12;G01N27/22;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮;沈金輝 |
| 地址： | 102249*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 濕度 探測器 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種濕度探測器，其特征在于，該濕度探測器包括：
基底和設置于基底表面的氧化亞銅納米線結構；所述氧化亞銅納米線結構為網格狀結構；
所述基底和所述氧化亞銅納米線結構的表面設置有電極；
所述基底由硅制成；
該濕度探測器中的硅與氧化亞銅構成一個異質結。
2.根據權利要求1所述的濕度探測器，其特征在于，所述氧化亞銅納米線結構是由氧化亞銅納米材料制成的。
3.根據權利要求1所述的濕度探測器，其特征在于，該濕度探測器是將通過水熱法或模板法生長的氧化亞銅納米材料燒結在所述基底上得到的。
4.根據權利要求1所述的濕度探測器，其特征在于，該濕度探測器是通過脈沖激光沉積法、磁控濺射法或物理氣相沉積法在基底上生長氧化亞銅納米線結構得到的。
5.根據權利要求1所述的濕度探測器，其特征在于，所述電極為金、銀、鉑、銦和鋁中的一種或幾種的組合制成的電極。
6.根據權利要求1或5所述的濕度探測器，其特征在于，所述電極為采用真空鍍膜法、磁控濺射法或激光沉積法制備的金薄膜、銀薄膜或鋁薄膜。
7.權利要求1-6任一項所述的濕度探測器的制備方法，其特征在于，該濕度探測器是將通過水熱法或模板法生長的氧化亞銅納米材料燒結在所述基底上得到的；
或，該濕度探測器是通過脈沖激光沉積法、磁控濺射法或物理氣相沉積法在基底上生長氧化亞銅納米線結構得到的。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國石油大學(北京)，未經中國石油大學(北京)許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710098831.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種組合式大排量疏水閥
- 下一篇：一種波紋管疏水閥
