[發(fā)明專利]基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710098496.4
• 申請(qǐng)日: 2017-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN106910759A
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂杭炳;羅慶;許曉欣;龍世兵;劉琦;劉明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L27/24
• 分類號(hào): H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 喬?hào)|峰

1.一種基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器的制備方法，包括如下步驟：

S1、在晶體管上形成鎢栓塞；

S2、以鎢栓塞作為下電極，并在鎢栓塞上制備過(guò)渡金屬層；

S3、氧化過(guò)渡金屬層，使之轉(zhuǎn)化為過(guò)渡金屬氧化物層；

S4、在過(guò)渡金屬氧化物上沉積上電極，圖形化上電極和過(guò)渡金屬氧化物。

2.如權(quán)利要求1所述的基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器的制備方法，其特征在于，所述過(guò)渡金屬為Ta、Ti、Zr、Hf、Nb中的至少一種。

3.如權(quán)利要求2所述的基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器的制備方法，其特征在于，所述過(guò)渡金屬層的厚度為2nm至8nm。

4.如權(quán)利要求1所述的基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器的制備方法，其特征在于，所述步驟S3通過(guò)退火處理使過(guò)渡金屬層轉(zhuǎn)化為過(guò)渡金屬氧化物層。

5.如權(quán)利要求4所述的基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器的制備方法，其特征在于，在等離子氧環(huán)境中進(jìn)行所述退火處理。

6.如權(quán)利要求5所述的基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器的制備方法，其特征在于，所述退火處理的條件為：溫度在350攝氏度至400攝氏度、時(shí)間為60秒至400秒。

7.如權(quán)利要求4所述的基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器的制備方法，其特征在于，所形成的過(guò)渡金屬氧化物具有梯形能帶。

8.如權(quán)利要求1所述的基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器的制備方法，其特征在于，所述上電極為Pt、W、Ru、Al、TiN、TaN、IrO₂、ITO、IZO中的至少一種。

9.一種基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器，由權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器的制備方法所制備。

10.一種阻變存儲(chǔ)器，包括如權(quán)利要求9所述的基于過(guò)渡金屬氧化物的選擇器。