[發明專利]一種用于真空腔室的加熱裝置

在審

• 申請號: 201710098425.4
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN106906448A
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 王長梗;關江敏
• 申請（專利權）人: 北京創世威納科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京尚德技研知識產權代理事務所(普通合伙)11378
• 代理人: 陳曉平

1.一種磁控濺射鍍膜方法裝置，其特征在于，所述真空腔室設置有至少一個圓形磁控靶，其安裝在所述圓形磁控靶下方，其用于對多個圓形樣片進行磁控濺射，其包括同軸設置的定齒輪、可旋轉的公轉支撐盤和可旋轉的加熱盤，所述公轉支撐盤沿周向均布有多個可旋轉的自轉樣片盤，所述自轉樣片盤的軸線在與所述定齒輪的軸線為中心的一個圓周上，所述自轉樣片盤設置有與所述定齒輪嚙合的自轉齒輪，所述加熱盤在所述自轉樣片盤上方，所述加熱盤設置有至少一個加工口，所述加工口設置在所述自轉樣片盤的軸線所在的圓周上方，所述加工口的面積大于所述圓形樣片的面積。

2.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜方法裝置，其特征在于，所述加熱盤是鎧裝加熱器或者石英紅外加熱器。

3.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜方法裝置，其特征在于，所述加熱盤與所述自轉樣片盤的距離是3-8mm。

4.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜方法裝置，其特征在于，所述加熱盤與所述公轉支撐盤由同軸的不同的驅動軸來驅動。

5.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜方法裝置，其特征在于，所述加熱盤包括一個殼體、設置在所述殼體內的多個加熱模塊以及一個蓋板。

6.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜方法裝置，其特征在于，所述加工口是圓形，或開口的凹形。