[發明專利]一種沉積腔室和膜層沉積裝置

有效

• 申請號: 201710097242.0
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN108456860B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 武學偉
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;羅瑞芝

1.一種沉積腔室，包括腔體、環繞設置在所述腔體側壁的內襯、靶材和基座；所述靶材設置于所述內襯頂部開口的上方，所述基座設置于所述內襯底部開口的下方；其特征在于，還包括遮擋件，所述遮擋件環繞固定設置于所述基座外圍，且所述遮擋件在所述靶材上的正投影覆蓋所述內襯底部；并且，

所述基座包括載臺和用于支撐所述載臺的支撐部，所述遮擋件環繞所述載臺設置，并固定于所述載臺的底面。

2.根據權利要求1所述的沉積腔室，其特征在于，當所述基座上升至工藝位時，所述內襯底部嵌入至所述遮擋件內，且所述遮擋件的側壁與所述內襯的側壁之間形成間隙。

3.根據權利要求2所述的沉積腔室，其特征在于，所述間隙的長寬比為3～5。

4.根據權利要求1所述的沉積腔室，其特征在于，所述遮擋件包括環形平面和第一筒狀結構，其中，

所述環形平面環繞所述載臺設置，其內周固定于所述載臺的底面；

所述第一筒狀結構的一端與所述環形平面的外周連接。

5.根據權利要求1所述的沉積腔室，其特征在于，所述遮擋件包括環形平面、第一筒狀結構和第二筒狀結構，其中，

所述第一筒狀結構的一端與所述環形平面的外周連接；

所述第二筒狀結構的第一端與所述環形平面的內周連接，第二端固定于所述載臺的底面。

6.根據權利要求5所述的沉積腔室，其特征在于，所述第二筒狀結構的高度小于所述第一筒狀結構的高度。

7.根據權利要求1-6任一所述的沉積腔室，其特征在于，所述載臺包括依次設置在所述支撐部上的第一導電層、絕緣層和第二導電層，其中，

所述遮擋件固定于所述第一導電層的底部；以及

所述遮擋件、所述第一導電層和所述支撐部接地。

8.根據權利要求7所述的沉積腔室，其特征在于，所述絕緣層采用陶瓷材料制成；所述第一導電層和所述第二導電層采用金屬材料或金屬合金材料制成。

9.一種膜層沉積裝置，其特征在于，包括權利要求1-8任意一項所述的沉積腔室。