[發(fā)明專利]一種下電極結(jié)構(gòu)及工藝腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710096968.2
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN108456873B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王福來
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/513
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;劉悅晗

1.一種下電極結(jié)構(gòu)，包括用于承載待加工工件的基臺，其特征在于，還包括位于所述基臺下方的紅外加熱裝置，所述紅外加熱裝置包括多個真空電極和和多個紅外加熱管，所述真空電極的一端與與其對應(yīng)的所述紅外加熱管相連，所述真空電極的另一端外接電纜；

所述下電極結(jié)構(gòu)還包括側(cè)壁和底壁，所述側(cè)壁、底壁與所述基臺三者共同形成密閉的加熱空間，所述紅外加熱管容置于所述加熱空間內(nèi)，所述真空電極貫穿所述底壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述紅外加熱管均勻設(shè)置于所述基臺的下方，且所述基臺的正投影落入所述紅外加熱管的正投影所限定的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下電極結(jié)構(gòu)還包括介質(zhì)窗，所述基臺設(shè)置在所述介質(zhì)窗的上表面，所述側(cè)壁、底壁與所述介質(zhì)窗三者共同形成所述加熱空間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的下電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下電極結(jié)構(gòu)還包括壓環(huán)，所述壓環(huán)用于將所述介質(zhì)窗固定于所述側(cè)壁上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的下電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下電極結(jié)構(gòu)還包括反射隔熱內(nèi)襯，所述反射隔熱內(nèi)襯設(shè)置于所述加熱空間內(nèi)，并覆蓋所述側(cè)壁及所述底壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的下電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射隔熱內(nèi)襯采用鈷、鉬或不銹鋼材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括用于檢測所述基臺的溫度的測溫?zé)犭娕?，所述測溫?zé)犭娕荚O(shè)置于所述基臺上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下電極結(jié)構(gòu)還包括支架，所述支架固定在所述底壁上，并與所述紅外加熱管固定連接。

9.一種工藝腔室，其特征在于，包括腔室本體和權(quán)利要求1或3-7任一項(xiàng)所述的下電極結(jié)構(gòu)，所述下電極結(jié)構(gòu)容置于所述腔室本體形成的空間內(nèi)，且所述下電極結(jié)構(gòu)與所述腔室本體相互不連通。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工藝腔室，其特征在于，所述下電極結(jié)構(gòu)的底壁與所述腔室本體通過轉(zhuǎn)接法蘭相連。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的工藝腔室，其特征在于，所述腔室本體的底壁開設(shè)有第一開口，所述轉(zhuǎn)接法蘭與所述第一開口相連；所述下電極結(jié)構(gòu)的底壁開設(shè)有第二開口，所述第一開口與第二開口的位置相對應(yīng)，且所述第一開口的尺寸大于所述第二開口的尺寸；

所述工藝腔室還包括真空法蘭，所述真空法蘭與所述第二開口相連，且位于所述轉(zhuǎn)接法蘭的內(nèi)部。