[發明專利]一種無接觸插片石墨舟有效
| 申請號: | 201710096812.4 | 申請日: | 2017-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN107046080B | 公開(公告)日: | 2019-01-29 |
| 發明(設計)人: | 何達能;方結彬;陳剛 | 申請(專利權)人: | 廣東愛旭科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/673 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人: | 侯莉 |
| 地址: | 528137 廣東省佛*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 接觸 石墨 | ||
本發明公開了一種無接觸插片石墨舟,由絕緣棒和在水平方向上排列的單元舟片組成,單元舟片為豎向設置的片狀體,相鄰單元舟片之間具有間隙,絕緣棒于各單元舟片周緣貫穿而將全部單元舟片連接在一起,位于兩外側單元舟片內外表面上設有凹槽,在凹槽底面上設有貫通該對應凹槽的細孔,位于中間單元舟片上設有通孔,在凹槽和通孔外圍設有卡點,硅片貼附在凹槽和通孔上由卡點固定且硅片周緣遮蓋在凹槽和通孔周邊區域上,在周邊區域上分布有噴氣孔,由噴氣孔噴出的保護氣體對硅片施加推力使硅片與單元舟片不接觸以避免插片時硅片與單元舟片發生摩擦。本發明可避免硅片表面產生劃痕,也避免了鍍膜不均,提高了太陽能電池的外觀合格率和光電轉換效率。
技術領域
本發明涉及一種石墨舟,尤其涉及一種無接觸插片石墨舟。
背景技術
太陽能電池的制造需要經過制絨、擴散、刻蝕、鍍膜、絲網印刷和燒結這六大工序。其中,鍍膜工序是采用等離子增強化學氣相沉積的方法在硅片正面鍍氮化硅膜,以減少太陽光反射以及對硅片表面起鈍化作用。硅片進行其表面鍍膜工序時,需要將未鍍膜的硅片插入PECVD真空鍍膜設備的載片器上,目前,載片器通常采用石墨舟,一般是操作人員將花籃中的硅片插入專門的石墨舟或者通過自動上下料機將硅片插入專門的石墨舟,具體操作過程是:將硅片插入石墨舟并通過固定卡點定位于其上,然后,將載有硅片的石墨舟放置在PECVD真空鍍膜設備中,采用PECVD工藝對硅片進行鍍膜。
現有的石墨舟一般采用3個固定卡點卡住硅片的三條邊,將硅片固定住。但是,在插片過程中,硅片會與石墨舟發生摩擦,導致硅片表面產生劃痕,影響電池的外觀合格率。尤其是對于雙面電池而言,硅片表面產生劃痕會影響正面和背面的電池外觀。另外,在插片過程中,石墨舟的表面也會變得粗糙,導致硅片鍍膜不均勻,增加了電池產品的外觀不良率,降低了電池的光電轉換效率。
發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠提高電池外觀良品率、提高光電轉換效率的無接觸插片石墨舟,解決了傳統鍍膜石墨舟所存在的硅片劃痕和鍍膜不均的技術問題。
本發明的目的通過以下的技術措施來實現:一種無接觸插片石墨舟,其特征在于:它主要由絕緣棒和在水平方向上排列的數個單元舟片組成,所述單元舟片為豎向設置的片狀體,相鄰的單元舟片之間具有間隙,所述絕緣棒于各單元舟片的周緣貫穿而將全部的單元舟片連接固定在一起,位于兩外側的單元舟片的內外表面上設有若干與硅片形狀相同且其尺寸小于硅片尺寸的凹槽,位于外側單元舟片內外表面上的凹槽相對應,在凹槽的槽底面上設有貫通該對應凹槽的用于抽真空的細孔,位于中間的單元舟片上設有若干與硅片形狀相同且其尺寸小于硅片尺寸的通孔,在所述凹槽和通孔的外圍設有用于固定硅片的卡點,硅片貼附在凹槽和通孔上由卡點固定且硅片的周緣遮蓋在凹槽和通孔的周邊區域上,在該周邊區域上分布有與氣源相連通的噴氣孔,由噴氣孔噴出的保護氣體對硅片施加推力而使硅片與單元舟片不接觸以便避免插片時硅片與單元舟片發生摩擦。
本發明在插片過程中,由噴氣孔噴出保護氣體,對硅片相對于噴氣孔的那一面施加推力作用,而使硅片與單元舟片保持一定的空隙,即使得硅片與單元舟片不接觸,從而避免硅片與石墨舟片發生摩擦,進而避免硅片表面產生劃痕,同時也避免了鍍膜不均,提高了太陽能電池的外觀合格率和光電轉換效率。另外,本發明由在水平方向上排布的若干個單元舟片組成,在單元舟片上設有呈陣列排布的若干個凹槽和通孔,可以根據鍍膜工藝的實際情況和需要,調整待鍍膜硅片在單元舟片上的陣列分布,從而提高硅片鍍膜的均勻性。
作為本發明的一種實施方式,所述單元舟片的數量為2~50,相鄰單元舟片之間的間距為5~50mm。
作為本發明的一種實施方式,位于外側的單元舟片每一面上的凹槽的數量為5~20,位于每個中間的單元舟片上的通孔的數量為5~20,所述凹槽和通孔在單元舟片上呈陣列均勻分布,相鄰凹槽之間、相鄰通孔之間的間距是5~300mm。
作為本發明的一種實施方式,所述凹槽和通孔的深度是0.5~10mm。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





