[發明專利]太陽能電池及其制造方法

在審

• 申請號: 201710096491.8
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN108123010A
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 劉書巖;李岳霖
• 申請（專利權）人: 茂迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張秋越

本發明公開了一種太陽能電池及其制造方法。該制造方法包含：提供一基板，包含相對應的一第一硅表面與一第二硅表面；形成一第一鈍化層于該第一硅表面上；形成一第一網印電極于該第一硅表面上；于該第一鈍化層上形成一第一圖案化開槽，以裸露該第一硅表面；以及將該第一網印電極作為電鍍接點，使該第一圖案化開槽于一第一電鍍液中形成一第一電鍍金屬層。本發明的太陽能電池的制造方法利用一網印電極作為電鍍接點而形成一電鍍金屬層，如此在P型硅基板及N型硅基板上都可直接電鍍。本發明可同時電鍍正面電極與背面電極，以減少制程時間。

技術領域

本發明是有關于一種太陽能電池及其制造方法，且特別是有關于一種太陽能電池及其制造方法，其利用一網印電極作為電鍍接點而形成一電鍍金屬層。

背景技術

現有電鍍太陽能電池制程之一，先利用背面網印或濺鍍制程而形成金屬電極以制作背面電極，然后再以光誘發電鍍(Light Induce Plating, LIP)制程或正向偏壓電鍍(Forward bias plating, FBP)制程而形成金屬電極以制作正面電極。

然而，使用FBP電鍍制程會被限制只能電鍍在P型硅基板(p-type doped Si)上，且使用LIP電鍍制程會被限制只能電鍍在N型硅基板(n-type doped Si)上。因此，現有電鍍太陽能電池制程會受到較大的限制。

因此，便有需要提供一種太陽能電池及其制造方法，能夠解決前述的問題。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明的一目的是提供一種太陽能電池及其制造方法，其利用一網印電極作為電鍍接點而形成一電鍍金屬層。

本發明提供一種太陽能電池的制造方法，包含：

提供一基板，包含相對應的一第一硅表面與一第二硅表面；

形成一第一鈍化層于該第一硅表面上；

形成一第一網印電極于該第一硅表面上；

于該第一鈍化層上形成一第一圖案化開槽，以裸露該第一硅表面；以及

將該第一網印電極作為電鍍接點，使該第一圖案化開槽于一第一電鍍液中形成一第一電鍍金屬層。

優選地，當形成該第一電鍍金屬層時，該第一網印電極與該第一電鍍液隔絕。

優選地，該第一網印電極的分布以該第一硅表面的中心點為準，呈中心對稱。

優選地，該第一圖案化開槽為形成該太陽能電池的一匯流電極、一指狀電極與一環狀電極組合中至少一種電極的對應圖案。

優選地，所述太陽能電池的制造方法，還包含：

形成一第二鈍化層于該第二硅表面上；

形成一第二網印電極于該第二硅表面上；

于該第二鈍化層上形成一第二圖案化開槽，以裸露該第二硅表面；以及

將該第二網印電極作為電鍍接點，使該第二圖案化開槽于一第二電鍍液中形成一第二電鍍金屬層。

優選地，當該第一圖案化開槽于該第一電鍍液中形成該第一電鍍金屬層時，該第二圖案化開槽也同時于該第二電鍍液中形成該第二電鍍金屬層。

本發明還提供了一種太陽能電池，包含：

一第一硅表面及與該第一硅表面相對應的一第二硅表面；

一第一電鍍金屬層；以及

一第一網印電極；

其中該第一網印電極與該第一電鍍金屬層設置在該第一硅表面上，且該第一網印電極具有一第一裸露表面。