[發明專利]磁控濺射腔室及磁控濺射設備

有效

• 申請號: 201710096324.3
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN108456859B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 張同文;楊玉杰;丁培軍;王厚工
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種磁控濺射腔室，用于在基片上沉積薄膜，其特征在于，包括用于承載所述基片的基座；

所述基座的上表面傾斜設置，工藝時,所述基片上沉積薄膜厚度較薄的基片區域與靶材之間的距離小于沉積薄膜厚度較厚的基片區域與靶材之間的距離；

還包括：第一頂針和至少兩個第二頂針；

所述第一頂針用于支撐所述基片的下表面；

所述第二頂針的頂端沿其升降方向設置有多個臺階，每個所述臺階用于限制并承載所述基片的邊沿；

所述第一頂針和所述第二頂針均貫穿所述基座且可以升降，用以將位于所述基座上的基片頂起或將位于所述第一頂針和所述第二頂針上的基片下落至所述基座上；

所述第一頂針對應的所述基片區域與所述靶材之間的距離為第一距離；

所述第二頂針對應的所述基片區域與所述靶材之間的距離為第二距離；

當所述基片位于所述基座上時，所述第一距離小于所述第二距離。

2.根據權利要求1所述的磁控濺射腔室，其特征在于，所述基座上表面的傾斜角度小于30°。

3.根據權利要求1所述的磁控濺射腔室，其特征在于，所述基座包括托盤、本體和固定支柱；

所述托盤放置在所述本體上且一側與所述本體動連接，所述托盤的上表面用于承載基片；

所述固定支柱的一端固定在所述本體的上表面上，另一端將所述托盤的另一側頂起，以使所述托盤的上表面傾斜設置。

4.根據權利要求3所述的磁控濺射腔室，其特征在于，所述動連接包括鉸連接。

5.根據權利要求3所述的磁控濺射腔室，其特征在于，所述托盤的上表面上設置有片槽，用于放置基片。

6.根據權利要求1所述的磁控濺射腔室，其特征在于，還包括：

偏置磁場裝置，用于在承載基片的基座表面形成水平磁場，該水平磁場用于在基片上沉積具有面內各向異性的磁性薄膜。

7.根據權利要求6所述的磁控濺射腔室，其特征在于，所述偏置磁場裝置包括環繞所述基座的兩段呈圓弧狀的磁體，二者對稱環繞在所述基座的兩側，且其中一段磁體的N極與其中另一段磁體中的S極均朝向所述基座。

8.根據權利要求6所述的磁控濺射腔室，其特征在于，所述磁性薄膜包括鎳鐵薄膜。

9.一種磁控濺射設備，包括磁控濺射腔室，其特征在于，所述磁控濺射腔室采用權利要求1-8任意一項所述的磁控濺射腔室。