[發(fā)明專利]一種包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710095972.7
• 申請(qǐng)日: 2017-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN106893588A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李春亮;林佳麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C09K11/88
• 分類號(hào): C09K11/88;C09K11/02
• 代理公司: 天津佳盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司12002
• 代理人: 劉書元

1.一種包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)量子點(diǎn)的硅烷化處理：

含有量子點(diǎn)的甲苯溶液里加入微量的硅烷偶聯(lián)劑正硅酸乙酯或3-巰基丙基三甲氧基硅烷，攪拌3-48小時(shí)，得到硅烷化處理的量子點(diǎn)溶液；

2)部分水解的3-巰基丙基三甲氧基硅烷溶液的配置：

在乙醇溶液中加入適量的氨水后，加入微量的3-巰基丙基三甲氧基硅烷，攪拌10-24小時(shí)，獲得部分水解3-巰基丙基三甲氧基硅烷；

3)包含量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備：

向部分水解后的3-巰基丙基三甲氧基硅烷溶液中加入硅烷化處理的量子點(diǎn)，混合攪拌1-8小時(shí)形成量子點(diǎn)聚集體后，追加加入正硅酸乙酯及氨水，繼續(xù)攪拌1-5小時(shí)在量子點(diǎn)聚集體上沉積二氧化硅，最后經(jīng)離心沉淀、洗滌得到含有多個(gè)疏水性量子點(diǎn)的二氧化硅納米球。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于：其所用量子點(diǎn)的種類有：II-VI族硒化鋅/硫化鋅、硒化鎘/硫化鋅、硒化鋅鎘/硫化鋅、硒化鎘/硫化鋅鎘、硒化鋅鎘/硫化鋅鎘量子點(diǎn)；III-V族磷化銦/硫化鋅量子點(diǎn)；I-III-IV族硫化銅銦/硫化鋅量子點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于：二氧化硅納米球中的量子點(diǎn)粒徑為2-10納米，發(fā)光效率為30％-80％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于：制備的二氧化硅納米球粒徑為20-100納米，納米球中所包含的量子點(diǎn)個(gè)數(shù)為5-50個(gè)，納米球的發(fā)光效率為10％-50％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于：量子點(diǎn)硅烷化處理過(guò)程中，正硅酸乙酯與量子點(diǎn)的摩爾比為2×10⁴—3×10⁵，量子點(diǎn)在溶液中的摩爾濃度為2×10^-7—2×10^-6M。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于：量子點(diǎn)硅烷化處理時(shí)溶液攪拌時(shí)間為2-24小時(shí)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于：3-巰基丙基三甲氧基硅烷在乙醇和氨水的混合溶液中的摩爾濃度為1.5×10^-5—1.2×10^-4M。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于：部分水解的3-巰基丙基三甲氧基硅烷溶液與已硅烷化處理的量子點(diǎn)溶液混合后，量子點(diǎn)聚集的時(shí)間為1-8小時(shí)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于：二氧化硅納米球制備過(guò)程中，正硅酸乙酯在溶液中的摩爾濃度為1.6×10^-3-1.6×10^-2M。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含多個(gè)疏水性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備方法，其特征在于：在量子點(diǎn)凝聚完成后，二氧化硅在量子點(diǎn)凝聚體上的沉積反應(yīng)時(shí)間為1-5小時(shí)。