[發明專利]微發光二極管顯示面板及制作方法有效
| 申請號: | 201710093979.5 | 申請日: | 2017-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN106876408B | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 陳黎暄;陳孝賢;李泳銳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/15;G09G3/32 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;顧楠楠 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 顯示 面板 制作方法 | ||
本發明提供了一種微發光二極管顯示面板,所述陣列基板上陣列排布有多個像素單元,每個像素單元至少包括三色的子像素單元,每個子像素單元中均設有至少一個與該子像素單元顏色相應的微發光二極管晶粒,相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元的微發光二極管晶粒的Bin級不同且峰值波長差值>2nm。本發明還提供了一種制作方法:在陣列基板的子像素單元內通過轉印將對應顏色的微發光二極管晶粒從轉印板上轉印至相應的子像素單元中,每次轉印的微發光二極管晶粒的顏色以及Bin級相同,相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元內的微發光二極管晶粒的Bin級不同且峰值波長差值>2nm。與現有技術相比,有效改善微發光二極管顯示面板的顏色和亮度的均稱性。
技術領域
本發明涉及一種顯示技術領域,特別是一種微發光二極管顯示面板及制作方法。
背景技術
平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點,而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品,成為顯示裝置中的主流。
微發光二極管(Micro LED,μLED)顯示器是一種以在一個基板上集成的高密度微小尺寸的LED陣列作為顯示像素來實現圖像顯示的顯示器,同大尺寸的戶外LED顯示屏一樣,每一個像素可定址、單獨驅動點亮,可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版,將像素點距離從毫米級降低至微米級,μLED顯示器和有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器一樣屬于自發光顯示器,但μLED顯示器相比OLED顯示器還具有材料穩定性更好、壽命更長、無影像烙印等優點,被認為是OLED顯示器的最大競爭對手。
微轉印(Micro Transfer Printing)技術是目前制備μLED顯示裝置的主流方法,具體制備過程為:首先在藍寶石類基板生長出微發光二極管,然后通過激光剝離技術(Laser lift-off,LLO)將微發光二極管裸芯片(bare chip)從藍寶石類基板上分離開,隨后使用一個圖案化的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)傳送頭將微發光二極管裸芯片從藍寶石類基板吸附起來,并將PDMS傳送頭與接收基板進行對位,隨后將PDMS傳送頭所吸附的微發光二極管裸芯片貼附到接收基板上預設的位置,再剝離PDMS傳送頭,即可完成將微發光二極管裸芯片轉移到接收基板上,進而制得μLED顯示裝置。
目前液晶顯示面板等平板顯示面板中的子像素的尺寸相對于微發光二極管的尺寸而言都是比較大的,若在相當于現有的子像素區域大小的面積空間對應填充一個小尺寸的微發光二極管,則需要多塊具有微發光二極晶粒的轉印板進行陣列排布從而形成子像素區,現有的一個關鍵問題在于,對于R/G/BμLED chip(微發光二極管晶粒),在生產過程中存在一致性偏離的問題,即通常LED的生產,有一個分Bin(Bin Code檔次范圍)級的過程,即根據微發光二極管晶粒的光電特性將微發光二極管晶粒進行分類,每一類叫做一個Bin級,一般情況下,分Bin級時會先對于同一批次中的微發光二極管的峰值波長訂立一個固定值,然后將圍繞該固定值±2nm的微發光二極管作為一個Bin級,在該范圍值內的微發光二極管晶粒的色度和亮度的一致性較好,而在不同的Bin級中,峰值波長會發生大范圍的移動,色度和亮度會存在一致性偏離的問題。
若采用Micro LED作為光源,制備Micro LED彩色顯示器,則需要大規模生產R/G/BLED chip,這個過程中LED chip的一致性偏離是一個必然現象。不同硅晶片(Wafer)生長出的LED chip很大概率處于不同的Bin級中,若直接將不同Bin級中的微發光二極管直接一次轉印至陣列基板上,會導致了微發光二極管顯示面器顏色和亮度的均勻性差。
發明內容
為克服現有技術的不足,本發明提供一種微發光二極管顯示面板及制作方法,有效改善整個微發光二極管顯示面板的顏色和亮度的勻稱性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





