[發明專利]基準電壓源及其正溫度系數電壓生成電路有效
| 申請號: | 201710093733.8 | 申請日: | 2017-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN106873704B | 公開(公告)日: | 2018-08-17 |
| 發明(設計)人: | 戴貴榮;宋美麗 | 申請(專利權)人: | 深圳市愛協生科技有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區新安街道*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基準 電壓 及其 溫度 系數 生成 電路 | ||
1.一種正溫度系數電壓生成電路,其特征在于,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三極管對和分壓單元;
所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極連接后作為輸入端與第一電源輸入端連接;所述第一PMOS管的柵極和所述第二PMOS管的柵極連接;所述第一PMOS管的柵極與所述第一PMOS管的漏極連接;所述第一PMOS管和所述第二PMOS管構成電流鏡結構;
所述第一NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極連接;所述第一NMOS管的源極接地;所述第一NMOS管的柵極與第二電流源輸入端連接;
所述第三PMOS管的源極與所述第一電源輸入端連接;所述第三PMOS管的柵極與所述第三PMOS管的漏極連接;
所述三極管對包括第一三極管和第二三極管;所述第一三極管的集電極與所述第一NMOS管的柵極連接;所述第一三極管的發射極接地;所述第一三極管的基極與所述第二三極管的基極連接且與所述第二PMOS管的漏極連接;所述第二三極管的集電極與所述第三PMOS管的漏極連接;所述第二三極管的發射極與所述分壓單元串聯后接地;所述第二三極管的發射極還作為所述正溫度系數電壓生成電路的輸出端,以輸出正溫度系數電壓。
2.根據權利要求1所述的正溫度系數電壓生成電路,其特征在于,還包括補償電容;所述補償電容連接于所述第一三極管的集電極和所述第一三極管的基極之間。
3.一種基準電壓源,其特征在于,包括:
如權利要求1或2所述的正溫度系數電壓生成電路;以及
負溫度系數電壓生成電路;所述負溫度系數電壓生成電路的輸入端與第三電源輸入端連接;所述負溫度系數電壓生成電路包括第一輸出端和第二輸出端;所述第一輸出端與所述正溫度系數電壓生成電路的輸出端連接;所述第二輸出端作為所述負溫度系數電壓生成電路的輸出端;所述正溫度系數電壓生成電路和所述負溫度系數電壓生成電路疊加從而得到零溫度系數電壓并由所述第二輸出端輸出。
4.根據權利要求3所述的基準電壓源,其特征在于,所述正溫度系數電壓生成電路為多個;多個正溫度系數電壓生成電路級聯后與所述負溫度系數電壓生成電路連接。
5.根據權利要求4所述的基準電壓源,其特征在于,所述第二電流源輸入端輸入的電流與所述第二三極管的集電極電流大小呈倍數關系,以對所述正溫度系數電壓生成電路輸出的電壓的溫度系數進行調節。
6.根據權利要求3所述的基準電壓源,其特征在于,所述負溫度系數電壓生成電路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、偏置電壓單元、分壓單元和第三三極管;所述第四PMOS管和所述第五PMOS管依次連接于所述第三電源輸入端和所述偏置電壓單元之間;所述偏置電壓單元上與所述第五PMOS管連接的一端還與所述第三三極管的基極連接;所述偏置電壓單元的另一端與所述正溫度系數電壓生成電路的輸出端連接;所述第六PMOS管連接于所述第三電源輸入端和所述第三三極管的集電極之間;所述第三三極管的發射極作為所述第一輸出端;所述分壓單元與所述偏置電壓單元并聯設置;所述分壓單元包括相互串聯的第一分壓子單元和第二分壓子單元;所述第一分壓子單元和所述第二分壓子單元之間的節點作為所述第二輸出端。
7.根據權利要求6所述的基準電壓源,其特征在于,所述偏置電壓單元包括電阻、三極管和MOS管中的至少一種;所述分壓單元包括電阻、三極管和MOS管中的至少一種。
8.根據權利要求3所述的基準電壓源,其特征在于,還包括電壓調節電路;所述電壓調節電路包括運算放大器、可調電阻模塊和控制單元;所述運算放大器的同相輸入端與所述負溫度系數電壓生成電路的第二輸出端連接;所述可調電阻模塊的一端與所述運算放大器的輸出端連接;所述可調電阻模塊的另一端接地;所述可調電阻模塊的調節端通過所述控制單元與所述運算放大器的反相輸入端連接;所述控制單元用于對所述運算放大器的反相輸入端接入所述可調電阻模塊中的位置進行控制;所述運算放大器的輸出端用于輸出基準電壓。
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