[發明專利]顯示設備及其制造方法

有效

• 申請號: 201710093010.8
• 申請日: 2017-02-21
• 公開（公告）號: CN107230691B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 全保建;安泰泳;李相旭;趙恩廷
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H10K59/00
• 分類號: H10K59/00;H10K59/121;H10K59/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

1.一種顯示設備，包括：

基板；

在所述基板上的第一像素，所述第一像素包括第一發光二極管，所述第一發光二極管包括第一電極、第二電極以及在所述第一電極與所述第二電極之間的第一發射層，所述第一發射層發射第一波長帶的光，所述第一發光二極管的所述第一電極在第一方向上反射所述第一發射層發射的光；

在所述基板上的第二像素，所述第二像素包括第二發光二極管，所述第二發光二極管包括第一電極、第二電極以及在所述第一電極與所述第二電極之間的第二發射層，所述第二發射層發射第二波長帶的光，所述第二發光二極管的所述第二電極在與所述第一方向相反的第二方向上反射所述第二發射層發射的光，所述第二發光二極管的所述第二發射層在所述第一發光二極管的所述第一發射層下方；

所述基板上的光傳感器，感測從所述第二發射層發射的并且由對象反射的所述第二波長帶的光；以及

遮光部，在所述基板上與所述光傳感器相鄰，

其中，所述第一發光二極管的所述第一電極和所述第二發光二極管的所述第二電極在水平方向上彼此相鄰。

2.根據權利要求1所述的顯示設備，其中：

所述光傳感器包括薄膜晶體管，并且

所述薄膜晶體管包括第三半導體層。

3.根據權利要求2所述的顯示設備，其中，所述第三半導體層包括非晶硅鍺。

4.根據權利要求2所述的顯示設備，進一步包括：

絕緣層，在所述遮光部與所述第三半導體層之間。

5.根據權利要求4所述的顯示設備，其中，所述絕緣層包括氮化硅和氧化硅中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述遮光部具有堆疊結構，所述堆疊結構包括：

第一遮光層，包括非晶鍺，以及

第二遮光層，包括非晶硅鍺。

7.根據權利要求1所述的顯示設備，其中：

所述第一發光二極管的所述第一電極包括反射電極并且所述第一發光二極管的所述第二電極包括透明電極，并且

所述第二發光二極管的所述第一電極包括透明電極并且所述第二發光二極管的所述第二電極包括反射電極。

8.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第二發光二極管的所述第二電極在與所述第一發光二極管的所述第一電極相同的層上。

9.根據權利要求1所述的顯示設備，其中：

所述第一像素包括電連接至所述第一發光二極管并且包括第一半導體層的第一薄膜晶體管，并且

所述第二像素包括電連接至所述第二發光二極管并且包括第二半導體層的第二薄膜晶體管。

10.根據權利要求9所述的顯示設備，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層中的每一個包括多晶硅。

11.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述第二像素的分辨率低于所述第一像素的分辨率。

12.根據權利要求1所述的顯示設備，其中：

所述第一波長帶包括可見光范圍，并且

所述第二波長帶包括紅外線范圍。

13.一種制造顯示設備的方法，所述方法包括：

制備基板；

在所述基板上形成感測由對象反射的第二波長帶的光的光傳感器；

鄰近所述光傳感器形成第二發光二極管，所述第二發光二極管在所述基板的方向上發射所述第二波長帶的光；

鄰近所述第二發光二極管形成第一發光二極管，所述第一發光二極管在與所述基板相對的方向上發射第一波長帶的光；以及

在入射至所述光傳感器的光的路徑中形成遮光部，

其中，所述第一發光二極管的第一電極和所述第二發光二極管的第二電極同時形成。