[發明專利]一種介質窗和等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201710092908.3
• 申請日: 2017-02-21
• 公開（公告）號: CN108461372B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 張彥召;陳鵬;劉建生;徐奎;常大磊;佘清
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;劉悅晗

1.一種介質窗，包括介質窗本體，其特征在于，還包括形成于所述介質窗本體的內側壁上的第一導電層，所述第一導電層具有縫隙；所述縫隙在所述介質窗本體的內壁上的延伸方向與環繞設置在所述介質窗的外側的射頻天線的軸線在所述介質窗本體的側壁上的投影的延伸方向呈非垂直設置；

所述介質窗還包括第二導電層和遮擋件，所述遮擋件與所述介質窗本體選用相同介質的材料；所述遮擋件包括支撐部和用于遮擋所述縫隙的遮擋部，所述支撐部的一端設置在所述縫隙處，且固定在所述介質窗本體上，另一端與所述遮擋部相連；

所述第二導電層形成于所述遮擋部的非與所述支撐部相連的表面上。

2.如權利要求1所述的介質窗，其特征在于，所述第二導電層與所述第一導電層的最小距離小于或等于等離子體的鞘層厚度。

3.如權利要求1所述的介質窗，其特征在于，所述縫隙的寬度大于所述支撐部的寬度。

4.如權利要求1所述的介質窗，其特征在于，所述遮擋件呈T型或Г型。

5.如權利要求1所述的介質窗，其特征在于，所述遮擋部為水平面或弧面，所述弧面的弧度與所述介質窗本體的弧度相等，且彎曲方向一致。

6.如權利要求1所述的介質窗，其特征在于，所述縫隙和遮擋件為一個或多個，所述縫隙的數量與所述遮擋件的數量相同，且所述縫隙與所述遮擋件一一對應。

7.如權利要求1所述的介質窗，其特征在于，以下其中之一或任意組合為粗糙面：所述支撐部的表面、所述遮擋部與所述支撐部相連的表面、所述第一導電層的表面、所述第二導電層的表面。

8.如權利要求1所述的介質窗，其特征在于，所述第一導電層和/或第二導電層采用熔射工藝形成。

9.如權利要求1所述的介質窗，其特征在于，所述第一導電層和/或第二導電層的材料為非導磁材料。

10.如權利要求9所述的介質窗，其特征在于，所述第一導電層和/或第二導電層的材料為金屬非導磁材料。

11.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括如權利要求1-10任一項所述的介質窗。

12.如權利要求11所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻天線呈螺旋狀，所述介質窗與所述射頻天線同軸設置。