[發明專利]鈣鈦礦復合結構在審
| 申請號: | 201710092678.0 | 申請日: | 2017-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN108461632A | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發明(設計)人: | 蔡明志;何羽軒 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 陶敏;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合結構 鈣鈦礦 吸光層 阻隔層 電子遷移率 鈣鈦礦材料 大氣環境 二維材料 外圍 | ||
1.一種鈣鈦礦復合結構,其特征在于,包括:
吸光層,包括鈣鈦礦材料;以及
立體阻隔層,位于所述吸光層的外圍,
其中所述立體阻隔層包括二維材料。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦復合結構,其特征在于,所述鈣鈦礦材料具有如下式(1)的結構:
ABX3 (1),
其中A為氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、乙脒、丙胺、異丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、異丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、芐胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺、Li、Na、K、Rb、Cs或Cu;B為Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、Pb或Sn;X為Cl、Br、I、氰、氰酯、硫代氰酯、硒氰酸酯或碲氰酸酯。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦復合結構,其特征在于,所述二維材料包括硫化鉍、黑磷、六方氮化硼、石墨烯、石墨烯氧化物、還原態石墨烯、硒化銦、二硫錫鉛、磷烯、硫化砷、銻砷硫化物;單硫族化合物,所述單硫族化合物為鉍鉈碲化物、硫化銅、硒化鎵、鎵硒碲化物、硫化鎵、鎵硫硒化物、碲化鎵、硒化鍺、硫化鍺、硒化銦、碲化銦、硒化鉈、硒化錫、鉈鎵二硫化物、鉈鎵二硒化物或鉈銦二硫化物;二硫族化合物,所述二硫族化合物為二硒化鉿、二硫化鉿、二硒化鉬、二硫化鉬、鉬硫硒化物、鉬鎢二硒化物、鉬鎢二硫化物、二硫化鎢、二硒化鎢、二硒化錸、二硫化鉭、二硒化錫、二硫化錫、錸鉬二硫化物、錸鈮二硒化物、錸鈮二硫化物、二碲化鎢、鎢硫硒化物、二硒化鋯、二硫化鋯或二碲化鋯;三硫族化合物,所述三硫族化合物為三硫化鈦;碘化物,所述碘化物為二碘化鎘、二碘化鉛或其組合。
4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦復合結構,其特征在于,所述吸光層還包括所述二維材料。
5.根據權利要求4所述的鈣鈦礦復合結構,其特征在于,所述立體阻隔層還包括有機胺。
6.根據權利要求5所述的鈣鈦礦復合結構,其特征在于,所述有機胺包括氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、乙脒、丙胺、異丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、異丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、芐胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺或其組合。
7.根據權利要求1或4所述的鈣鈦礦復合結構,其特征在于,所述二維材料的長度為0.2μm至20μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





