[發明專利]等離子體處理裝置及等離子體處理方法

在審

• 申請號: 201710092271.8
• 申請日: 2017-02-21
• 公開（公告）號: CN107591308A
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 佐藤陽介;宇井明生;酒井伊都子
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種等離子體處理裝置，具備：

腔室；

導入部，向上述腔室內導入氣體；

第1電源，輸出用來從上述氣體產生離子的第1電壓；

保持部，保持基板；

電極，以隔著上述基板而與上述離子對置的方式配置，并具有與上述基板不平行的面；以及

第2電源，將用來引入上述離子的、頻率比上述第1電壓低的第2電壓向上述電極施加。

2.一種等離子體處理裝置，具備：

腔室；

導入部，向上述腔室內導入氣體；

第1電源，輸出用來從上述氣體產生離子的第1電壓；

保持部，保持基板；

電極，以隔著上述基板而與上述離子對置的方式配置；

第2電源，將頻率比上述第1電壓低的第2電壓向上述電極施加；以及

移動機構，將上述電極沿著上述基板的主面移動。

3.一種等離子體處理裝置，具備：

腔室；

導入部，向上述腔室內導入氣體；

第1電源，輸出用來從上述氣體產生離子的第1電壓；

保持部，保持基板；

多個電極，以隔著上述基板而與上述離子對置的方式配置，并具有與上述基板不平行的面；以及

第2電源，將用來引入上述離子的、頻率比上述第1電壓低的第2電壓向上述多個電極依次施加。

4.如權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置，其中，

上述電極是棒狀。

5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其中，

上述電極具有0.5mm以上的寬度和比上述基板的直徑大的長度。

6.如權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置，其中，

上述電極從上述基板上方觀察是圓形。

7.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，

還具備將上述電極沿著上述基板的主面移動的移動機構。

8.如權利要求2或7所述的等離子體處理裝置，其中，

上述移動機構使上述電極直線運動或往復運動。

9.如權利要求2或7所述的等離子體處理裝置，其中，

還具備以隔著上述電極而與上述基板對置的方式配置的基板電極；

上述移動機構使上述電極與上述基板電極接觸或離開。

10.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，

還具有第2電極，上述第2電極以隔著上述基板而與上述離子對置的方式與上述電極并列地配置，并被施加上述第2電壓。

11.如權利要求10所述的等離子體處理裝置，其中，

上述電極及上述第2電極的形狀及尺寸大致相同。

12.如權利要求10或11所述的等離子體處理裝置，其中，

上述電極與上述第2電極的間隔是5mm以下。

13.如權利要求10～12中任一項所述的等離子體處理裝置，其中，

上述電極及上述第2電極被交替地施加電壓。

14.如權利要求13所述的等離子體處理裝置，其中，

上述電極和上述第2電極被施加的電壓不同。

15.如權利要求14所述的等離子體處理裝置，其中，

上述第2電極的電壓是地電位。

16.如權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置，還具備：

基板電極，以隔著上述電極而與上述基板對置的方式配置；以及

對置電極，以隔著上述離子而與上述基板對置的方式配置，被施加上述第1電壓。

17.如權利要求16所述的等離子體處理裝置，其中，

還具備選擇上述基板電極及上述電極中的任意電極來施加上述第2電壓的選擇部。

18.如權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置，其中，

還具備被施加上述第1電壓而對上述氣體進行離子化的線圈。

19.一種等離子體處理方法，具備如下工序：

準備基板和腔室的工序，該腔室在內部配置有具有與該基板不平行的面的電極；

向上述腔室內導入氣體的工序；

通過第1電壓而從上述氣體產生離子的工序；以及

將頻率比上述第1電壓低的第2電壓向上述電極施加、使上述離子相對于上述基板斜入射的工序。