[發明專利]一種絕緣柵雙極型晶體管的制造方法在審
| 申請號： | 201710092140.X | 申請日： | 2017-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN106783610A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 陳萬軍;劉亞偉;陶宏;劉承芳;劉杰;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣 柵雙極型 晶體管 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
a.在一塊相對低電阻率的N型硅片(1)上外延形成相對高電阻率的N型外延層(2)；
b.在a步所形成的N型外延層(2)上完成正面制作工序，包括：形成柵氧化層(3)、多晶硅層(4)、P阱(5)、N+發射區(6)、BPSG層(7)以及正面金屬層(8)；
c.翻轉后減薄硅片；
d.清洗硅片，背面離子注入P型雜質，退火形成P型集電區(9)；
e.在P型集電區(9)表面淀積形成金屬層(10)。
2.根據權利要求1所述的一種絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管的漂移區由兩部分構成，包含由N型硅片(1)減薄后成形成的下漂移區和N型外延層(2)形成的上漂移區。
3.根據權利要求2所述的一種絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管的上漂移區的電阻率大于下漂移區的電阻率，上漂移區摻雜濃度低，用于提高器件的耐壓，下漂移區摻雜濃度相對較高，用于承擔部分耐壓同時具有buffer的作用。
4.根據權利要求3所述的一種絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，步驟c中減薄后形成的總的襯底厚度大于步驟a中形成的N型外延層(2)的厚度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
