[發明專利]等離子體處理方法有效
| 申請號： | 201710091515.0 | 申請日： | 2017-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN107180754B | 公開（公告）日： | 2021-12-24 |
| 發明（設計）人： | 松原功幸;針貝篤史;伊藤彰宏 | 申請（專利權）人： | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 李國華 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 方法 | ||
1.一種等離子體處理方法，包括：
粘附工序，在具備第一主面和所述第一主面的相反側的第二主面的基板的所述第一主面粘附樹脂膜；
圖案化工序，在所述粘附工序之后，對所述樹脂膜進行圖案化，形成具有使所述基板的被處理區域露出的開口部的掩模；
第一等離子體工序，在所述圖案化工序之后，在包含第一氣體的壓力為0.1Pa～100Pa的減壓環境中生成所述第一氣體的第一等離子體，使所述掩模暴露于所述第一等離子體，并且用所述第一等離子體對所述掩模進行加熱而使所述掩模的至少一部分軟化，從而減少所述掩模與所述第一主面之間的空隙；以及
第二等離子體工序，在所述第一等離子體工序之后，在包含第二氣體的環境中用所述第二氣體生成第二等離子體，并使從所述開口部露出的所述被處理區域暴露于所述第二等離子體，從而對所述被處理區域進行蝕刻，
所述第一等離子體工序和所述第二等離子體工序在相同的空間內連續地進行。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，所述第一氣體包含從由氬、氧、氮以及氦構成的組中選擇的至少一種。
3.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，所述圖案化工序包括通過濕式蝕刻除去所述樹脂膜的與所述開口部對應的部分的步驟。
4.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，所述圖案化工序包括利用激光進行劃刻而除去所述樹脂膜的與所述開口部對應的部分的步驟。
5.根據權利要求1～4中的任一項所述的等離子體處理方法，所述第二等離子體工序包括將所述被處理區域從所述第一主面蝕刻至所述第二主面而將所述基板單片化的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
