[發(fā)明專利]陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710090921.5
• 申請日: 2017-02-20
• 公開（公告）號: CN106847744B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宮奎;段獻學(xué)
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。該陣列基板的制備方法包括：提供襯底基板；在襯底基板上依次形成有源層和覆蓋有源層的第一絕緣層；對第一絕緣層進行一次構(gòu)圖工藝，在第一絕緣層中形成暴露有源層的第一通孔和第二通孔，并在第一絕緣層表面上形成第一凹槽；在構(gòu)圖后的第一絕緣層上形成導(dǎo)電層，導(dǎo)電層填充在第一通孔、第二通孔和第一凹槽中；進行研磨工藝以分別形成源極、漏極和像素電極。該陣列基板的制備方法通過兩道掩膜工藝形成陣列基板，減少了掩膜工藝的次數(shù)，簡化了工藝制作流程，降低了生產(chǎn)成本，縮短了制備時間，提高了生產(chǎn)效率，提升了產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實施例涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板以及具有該陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被日益廣泛地應(yīng)用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，已經(jīng)成為顯示裝置中的主流。

液晶顯示器根據(jù)驅(qū)動液晶的電場方向，分為垂直電場型和水平電場型。垂直電場型包括扭曲向列(TN，Twist Nematic)型，其需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極；水平電場型包括共平面切換(IPS,In-Plane Switching)型、邊界電場切換(FFS，F(xiàn)ringe Field Switching)型和高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADS，Advanced SuperDimension Switch)型等，其需要在陣列基板上形成像素電極和公共電極。目前，無論對于垂直電場型液晶顯示器，還是水平電場型液晶顯示器，其陣列基板通常都需要經(jīng)過4次或5次掩膜工藝，使得陣列基板的制備工藝復(fù)雜、生產(chǎn)效率低、生產(chǎn)成本高，且隨著液晶顯示器朝大尺寸制造發(fā)展，其多次掩膜工藝還會導(dǎo)致產(chǎn)品良率降低、產(chǎn)能下降。

發(fā)明內(nèi)容

本公開至少一實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上依次形成有源層和覆蓋所述有源層的第一絕緣層；對所述第一絕緣層進行一次構(gòu)圖工藝，在所述第一絕緣層中形成暴露所述有源層的第一通孔和第二通孔，并在所述第一絕緣層表面上形成第一凹槽；在構(gòu)圖后的所述第一絕緣層上形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層填充在所述第一通孔、第二通孔和第一凹槽中；進行研磨工藝以去除所述第一絕緣層表面上的所述導(dǎo)電層，且在所述第一通孔、第二通孔和第一凹槽中保留所述導(dǎo)電層，從而分別形成源極、漏極和像素電極。

本公開至少一實施例提供一種陣列基板，包括：襯底基板；設(shè)置在所述襯底基板上的有源層以及覆蓋所述有源層的第一絕緣層，所述第一絕緣層具有暴露所述有源層的第一通孔和第二通孔以及設(shè)置在所述第一絕緣層表面上的第一凹槽，分別設(shè)置在所述第一絕緣層的第一通孔和第二通孔中與所述有源層連接的源極和漏極，以及設(shè)置在所述第一凹槽中的像素電極。

本公開至少一實施例提供一種顯示裝置，包括上述任一實施例中的陣列基板。

本公開至少一實施例提供一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。這些實施例的陣列基板的制備方法可以利用兩道掩膜工藝制作陣列基板，減少了掩膜工藝的次數(shù)，簡化了工藝制作流程，降低了工藝復(fù)雜度、生產(chǎn)成本，由此縮短了制備時間，提高了生產(chǎn)效率，提升了產(chǎn)品良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。

圖1a為本公開一實施例提供的一種陣列基板的平面示意圖；

圖1b為沿圖1a中線A-A'方向該陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1c為沿圖1a中線B-B'方向該陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為一種石墨烯的分子結(jié)構(gòu)示意圖；