[發明專利]滿足負向浪涌要求的直流防反接電路

有效

• 申請號: 201710090731.3
• 申請日: 2017-02-20
• 公開（公告）號: CN108462163B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 田新寶;張建利;王海鵬
• 申請（專利權）人: 成都鼎橋通信技術有限公司
• 主分類號: H02H11/00
• 分類號: H02H11/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊澤;劉芳

本發明實施例提供一種滿足負向浪涌要求的直流防反接電路。該電路包括：MOSFET、第一電阻、第二電阻、三極管、第一二極管；第一電阻的一端與MOSFET的漏極電連接；第一電阻的另一端與三極管的基極電連接；三極管的發射極與MOSFET的源極電連接；三極管的集電極與第一二極管的負極電連接；MOSFET的柵極通過第二電阻與三極管的集電極電連接；MOSFET的漏極和第一二極管的正極分別連接電源的兩端。本發明實施例通過MOSFET的源極和柵極之間的電容可通過放電回路進行放電，從而使得MOSFET從導通狀態轉換為截止狀態，防止電路中出現反向電流導致直流母線電容回抽變零，從而可以避免控制電路和系統輸出掉電。

技術領域

本發明實施例涉及電路技術領域，尤其涉及一種滿足負向浪涌要求的直流防反接電路。

背景技術

金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型。

基于MOSFET的固有特性，柵極和源極之間存在寄生電容Cgs，MOSFET正常導通時，Cgs兩端電壓為MOSFET的驅動電壓，當MOSFET瞬間關斷時，電容Cgs無法即時放電，Cgs兩端電壓緩慢下降即柵源電壓緩慢下降，MOSFET關斷需要一定時間。當MOSFET所在電路的電源輸入端出現8/20uS的快速負向浪涌電壓時，電源輸入端極性反轉，MOSFET不能關斷導致電路中出現負向電流，直流母線電容被快速放電進而導致系統掉電。

發明內容

本發明實施例提供一種滿足負向浪涌要求的直流防反接電路，以防止直流母線電容被快速放電進而導致系統掉電。

本發明實施例的一個方面是提供一種滿足負向浪涌要求的直流防反接電路，包括：金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET、第一電阻、第二電阻、三極管、第一二極管；其中，

所述第一電阻的一端與所述MOSFET的漏極電連接；

所述第一電阻的另一端與所述三極管的基極電連接；

所述三極管的發射極與所述MOSFET的源極電連接；

所述三極管的集電極與所述第一二極管的負極電連接；

所述MOSFET的柵極通過所述第二電阻與所述三極管的集電極電連接；

所述MOSFET的漏極和所述第一二極管的正極分別連接電源的兩端。

可選地，當所述MOSFET的漏極連接所述電源的正極時，所述MOSFET的源極和柵極之間出現負壓偏置，所述MOSFET的源極為高電壓，所述MOSFET的柵極為低電壓。

可選地，當所述電源出現負向浪涌電壓時，所述三極管導通，所述MOSFET、所述第一電阻、所述三極管和所述第二電阻形成回路。

可選地，所述MOSFET的柵極和源極形成的第一結電容通過所述回路放電，以使所述MOSFET從導通狀態轉換為截止狀態。

可選地，所述第一電阻用于控制所述三極管的基極電流，以使所述三極管工作在飽和區。

可選地，所述電路還包括：第二二極管；

所述第二二極管的負極與所述MOSFET的源極電連接，所述第二二極管的正極與所述三極管的集電極電連接；

所述第一二極管用于在所述MOSFET從導通狀態轉換為截止狀態的過程中，通過所述第二二極管給所述MOSFET的源極和漏極形成的第二結電容反向充電。

可選地，所述電路還包括：第三電阻；