[發明專利]清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及介質

有效

• 申請號: 201710090562.3
• 申請日: 2017-02-20
• 公開（公告）號: CN107190248B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 永戶雅也;栗林幸永;龜田賢治
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

技術領域

本發明涉及清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質。

背景技術

作為半導體器件(Device)的制造工序的一個工序，有時進行在收納于處理室內的襯底上形成膜的處理。若進行成膜處理，則堆積物附著于處理室內。因此，有時進行下述清潔處理：向進行了成膜處理后的處理室內供給清潔氣體，除去附著于處理室內的堆積物。

現有技術文獻

專利文獻

[專利文獻1]日本特開2015-26660號公報

發明內容

發明所要解決的問題

本發明的目的在于，提供一種能夠提高進行形成膜的處理后的處理室內的清潔效率的技術。

用于解決問題的手段

根據本發明的一個方式，提供一種技術，其為一種對進行了在襯底上形成膜的處理后的處理室內進行清潔的方法，包括：向加熱至第一溫度的所述處理室內供給包含氫和氟的氣體的工序；使所述處理室內的溫度升溫至比所述第一溫度高的第二溫度的工序；向加熱至所述第二溫度的所述處理室內供給包含氟的氣體的工序，其中，所述第一溫度設為所述包含氟的氣體不發生活化的溫度，所述第二溫度設為所述包含氟的氣體發生活化的溫度。

發明效果

通過本發明，能夠提高進行形成膜的處理后的處理室內的清潔效率。

附圖說明

[圖1]是在本發明的實施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構成圖，是以縱剖視圖表示處理爐部分的圖。

[圖2]是在本發明的實施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的一部分的概略構成圖，是以圖1的A-A線剖視圖表示處理爐的一部分的圖。

[圖3]是本發明的實施方式中適合使用的襯底處理裝置的控制器的構成圖，是將控制器的控制系統以框圖表示的圖。

[圖4]為示出本發明的一種實施方式的成膜處理中的氣體供給的定時(timing)的圖。

[圖5]為示出本發明的一種實施方式的清潔處理中的氣體供給的定時的圖。

[圖6](a)為示出本發明的一種實施方式的清潔處理中的氣體供給的定時的變形例1的圖，(b)為示出本發明的一種實施方式的清潔處理中的氣體供給的定時的變形例2的圖，(c)為示出本發明的一種實施方式的清潔處理中的氣體供給的定時的變形例3的圖，(d)為示出本發明的一種實施方式的清潔處理中的氣體供給的定時的變形例4的圖。

[圖7](a)為示出在實施例中，直至處理室內的清潔及吹掃完成的過程的圖，(b)為示出在比較例中，直至處理室內的清潔及吹掃完成的過程的圖。

[圖8](a)是本發明的其他實施方式中適合使用的襯底處理裝置的處理爐的概略構成圖，是以縱剖視圖表示處理爐部分的圖，(b)是本發明的其他實施方式中合適地使用的襯底處理裝置的處理爐的概略構成圖，是以縱剖視圖表示處理爐部分的圖。

附圖標記說明

200 晶片(襯底)

201 處理室

203 反應管

206 加熱器

209 集流管

232a～232f 氣體供給管

249a、249b、249e 噴嘴

121 控制器

具體實施方式

＜本發明的一種實施方式＞

以下，使用圖1～圖3說明本發明的一種實施方式。

(1)襯底處理裝置的構成

如圖1所示，處理爐202具有作為加熱部件(加熱機構)的加熱器207。加熱器207為圓筒狀，通過保持板支承而垂直地安裝。加熱器207也作為通過熱使氣體活化(激發)的活化機構(激發部)發揮功能。