[發(fā)明專利]一種N型選擇性發(fā)射極雙面電池及其加工方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710090233.9
• 申請(qǐng)日: 2017-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN106784053A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李華;魯偉明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰州樂(lè)葉光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司32243
• 代理人: 鄧道花

1.一種N型選擇性發(fā)射極雙面電池，其特征在于：包括N型基體（1），N型基體（1），一側(cè)依次設(shè)置有重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域（2）、輕摻雜發(fā)射極區(qū)域（3）、正面鈍化減反膜（4）、正面電極（5），另一側(cè)依次設(shè)置有磷摻雜背表面場(chǎng)區(qū)域（6）、背面鈍化減反膜（7）和背面電極（8）；其中：正面電極（5）穿過(guò)正面鈍化減反膜（4）與重?fù)诫s發(fā)射電極（2）形成歐姆接觸；背面電極（8）穿過(guò)背面鈍化減反膜（7）與磷摻雜背表面場(chǎng)（6）形成歐姆接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型選擇性發(fā)射極雙面電池，其特征在于：重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域（2）由若干個(gè)直線形、線段形或者圓形發(fā)射極單元（21）排列而成，每一個(gè)發(fā)射極單元（21）的寬度或者直徑為80微米-300微米，重?fù)诫s區(qū)域面積占正表面面積的4%-30%。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種N型選擇性發(fā)射極雙面電池，其特征在于：重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域（2）的若干個(gè)發(fā)射極單元（21）為直線時(shí), 其上形成局部接觸電極（11）,局部接觸電極(11)之間通過(guò)主柵線（9）連接；重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域（2）的若干個(gè)發(fā)射極單元（21）為線段或者圓形時(shí),其上形成局部接觸電極（11），局部接觸電極（11）之間通過(guò)若干連接?xùn)啪€（10）連接，若干連接?xùn)啪€（10）之間通過(guò)一系列主柵線（9）匯流，并且連接?xùn)啪€（10）、主柵線（9）不與磷摻雜背表面場(chǎng)（6）形成歐姆接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種N型選擇性發(fā)射極雙面電池，其特征在于：重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域（2）的發(fā)射極單元（21）為直線形或線段形時(shí)，其寬度為10-100μm；圓形時(shí)，直徑為30-100μm；連接?xùn)啪€（10）寬度為20μm-100μm，主柵線（9）寬度為0.5mm-1.5mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型選擇性發(fā)射極雙面電池，其特征在于：輕摻雜發(fā)射極區(qū)域（3）的方阻為90-250ohm/sq。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種N型選擇性發(fā)射極雙面電池其特征在于：重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域（2）的方阻為10-70ohm/sq。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種N型選擇性發(fā)射極雙面電池，其特征在于：重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域（2）的正面鈍化減反膜（4）為SiNx、SiO₂、TiO₂、 Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一種或者多種，并且其厚度為50-90nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種N型選擇性發(fā)射極雙面電池，其特征在于：輕摻雜發(fā)射極區(qū)域（3）的背面鈍化減反膜（7）為SiNx、SiO₂、TiO₂、 Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一種或者多種，并且其厚度為50-90nm。

9.加工1-8任意一項(xiàng)所述的N型選擇性發(fā)射極雙面電池的方法，其特征在于：N型基體的正面的輕摻雜發(fā)射極采用BBr₃高溫?cái)U(kuò)散，APCVD法沉積BSG退火，離子注入硼源退火工藝形成，絲網(wǎng)印刷含硼漿料高溫退火其中一種制成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于：N型基體的正面的重?fù)诫s發(fā)射極采用絲網(wǎng)印刷阻擋漿料刻蝕工藝、通過(guò)BSG的激光摻雜、絲網(wǎng)印刷含硼漿料高溫退火、離子注入工藝中的其中一種形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于：N型基體的背面的磷摻雜背表面場(chǎng)區(qū)域采用高溫?cái)U(kuò)散、APCVD沉積PSG退火、離子注入高溫退火、絲網(wǎng)印刷磷漿高溫退火工藝中的其中一種形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：正面電極和背面電極采用絲網(wǎng)印刷、電鍍、化學(xué)鍍、噴墨打印、物理氣相沉積金屬層形成，其中金屬為Ni、Cu、Ag、Ti、Pd、Cr數(shù)種的組合。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于：連接?xùn)啪€和主柵線采用絲網(wǎng)印刷燒結(jié)、導(dǎo)電膠粘接或者金屬線焊接而成；其中：

連接?xùn)啪€和主柵線為Ag, 表面包覆In、Sn、Pb的Cu帶或者含有金屬顆粒的有機(jī)物。