[發明專利]光學防偽元件及光學防偽產品

有效

• 申請號: 201710089694.4
• 申請日: 2017-02-20
• 公開（公告）號: CN108454266B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 孫凱;王曉利;崔海波;朱軍
• 申請（專利權）人: 中鈔特種防偽科技有限公司;中國印鈔造幣總公司
• 主分類號: B42D25/36
• 分類號: B42D25/36;B42D25/373
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 羅攀;肖冰濱

1.一種光學防偽元件，其特征在于，該光學防偽元件包括：

基材，該基材包括彼此相對的第一表面和第二表面；

形成在所述第一表面上的微采樣工具；

形成在所述第二表面上的微圖文筆畫，該微圖文筆畫由亞波長結構形成；

在所述微圖文筆畫上同形覆蓋的第一鍍層；以及

在所述第二表面的所述微圖文筆畫之間的區域上同形覆蓋的第二鍍層，

其中，所述微圖文筆畫與所述微圖文筆畫之間的區域具有高度差，其中所述高度差滿足h≥W/(2*tan(42°))，h為所述高度差，W為所述微圖文筆畫的寬度。

2.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其特征在于，

所述微圖文筆畫之間的區域為平坦區域，所述亞波長結構相對于該平坦區域凸起或凹陷。

3.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其特征在于，

所述微圖文筆畫之間的區域由隨機散射結構形成，所述亞波長結構相對于該隨機散射結構凸起或凹陷。

4.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其特征在于，所述亞波長結構的起伏范圍為30nm至300nm。

5.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其特征在于，所述亞波長結構的周期范圍為100nm至500nm。

6.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其特征在于，所述高度差的范圍為0.3μm至3μm。

7.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其特征在于，所述微采樣工具為微透鏡陣列。

8.根據權利要求7所述的光學防偽元件，其特征在于，所述微透鏡陣列為以下中的一者或任意組合：柱透鏡陣列、球透鏡陣列以及菲涅爾透鏡陣列。

9.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其特征在于，所述第一鍍層或所述第二鍍層為能夠產生顏色和/或顏色變化的干涉鍍層。

10.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其特征在于，所述第一鍍層或所述第二鍍層為以下中的一者或任意組合：單層金屬鍍層、多層金屬鍍層、由吸收層、低折射率介質層和反射層形成的鍍層、高折射率介質層鍍層、由第一高折射率介質層、低折射率介質層和第二高折射率介質層依次堆疊形成的多介質層鍍層、以及由吸收層、高折射率介質層和反射層依次堆疊形成的鍍層。

11.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其特征在于，所述基材為由以下材料中的任意一者構成的對可見光透明的有色或無色薄膜：

聚對苯二甲酸二醇酯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯、金屬、玻璃以及紙張。

12.一種光學防偽產品，其特征在于，包括根據權利要求1至11中任意一項權利要求所述的光學防偽元件。