[發明專利]基于膦氧、咔唑的三嗪類激基復合物材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201710089420.5
• 申請日: 2017-02-20
• 公開（公告）號: CN106699811B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 許輝;段春波;韓春苗
• 申請（專利權）人: 黑龍江大學
• 主分類號: C07F9/6558
• 分類號: C07F9/6558;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 哈爾濱市文洋專利代理事務所(普通合伙) 23210
• 代理人: 王艷萍

1.基于膦氧、咔唑的三嗪類激基復合物材料，其特征在于該材料的受體結構式為：

；

給體為空穴傳輸材料

2.權利要求1所述的基于膦氧、咔唑的三嗪類激基復合物材料的應用，其特征在于該應用是將基于膦氧、咔唑的三嗪類激基復合物材料用于制備熱激發延遲熒光和磷光有機電致發光器件中。

3.根據權利要求2所述的基于膦氧、咔唑的三嗪類激基復合物材料的應用，其特征在于用基于膦氧、咔唑的三嗪類激基復合物材料制備熱激發延遲熒光器件和磷光有機電致發光器件的方法，按以下步驟進行：

一、將經過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1～5×10^-5mbar，蒸鍍速率設為0.1～0.3nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫，厚度為100～150nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍材料為MoOx，厚度為10～15nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為NPB或mCP或TAPC或TCTA或TCTA或CDBP，厚度為40～80nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上繼續蒸鍍厚度為20～70nm的發光層，其中發光層為基于膦氧、咔唑的三嗪類激基復合物材料，即膦氧、咔唑三嗪受體材料與NPB、mCP、TAPC、TCTA或CDBP構成的激基復合物材料；或者發光層是以NPB、mCP、TAPC、TCTA或CDBP與oTPOTZ、mTPOTZ或pTPOTZ構成的激基復合物材料作為混合主體摻雜入磷光或延遲熒光客體構成的；

五、在發光層上蒸鍍材料為基于膦氧的三嗪類激基復合物材料，厚度為40～80nm的電子傳輸層；

六、在電子傳輸層上蒸鍍材料為LiF，厚度為0.1～1nm的電子注入層；

七、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬Al，厚度為150nm的陰極導電層，封裝，得到基于激基復合物的有機電致發光器件。