[發明專利]功率圖優化的熱感知3D芯片封裝

有效

• 申請號: 201710089221.4
• 申請日: 2017-02-20
• 公開（公告）號: CN107104085B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: M.K.艾楊格;T-G.康;C.G.馬龍;N.P.約皮
• 申請（專利權）人: 谷歌有限責任公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/46;G06F1/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種半導體封裝(100)，包括：

襯底(110)；

布置在所述襯底(110)上的集成電路(120)，所述集成電路(120)具有低功率區域(124)和高功率區域(122)；

布置在所述集成電路(120)的所述低功率區域(124)上的存儲器支撐件(140)，所述存儲器支撐件(140)配置為允許流體(250)的流從其通過以將熱從所述集成電路(120)的所述低功率區域(124)傳導出去；

布置在所述存儲器支撐件(140)上并且與所述集成電路(120)通信的堆棧式存儲器(130)；以及

連接到所述襯底(110)并且限定第一端口(152a)、第二端口(152b)和流體地連接所述第一端口(152a)和所述第二端口(152b)的蓋體積(160)的蓋(150)，所述蓋體積(160)配置為容納所述集成電路(120)、所述存儲器支撐件(140)和所述堆棧式存儲器(130)，同時引導所述流體(250)的流在所述集成電路(120)、所述存儲器支撐件(140)和所述堆棧式存儲器(130)上方流動；

布置在所述集成電路(120)的所述高功率區域(122)上的散熱器(170)，所述蓋體積(160)配置為容納所述散熱器(170)同時引導所述流體(250)的流在所述散熱器(170)上方流動，所述散熱器(170)具有多個鰭(172)。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝(100)，進一步包括布置在所述集成電路(120)的所述高功率區域(122)上的導熱材料(176)，所述蓋體積(160)配置為容納所述導熱材料(176)同時引導所述流體(250)的流在所述導熱材料(176)上方流動。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝(100)，其中所述導熱材料(176)包括金剛石和/或銅和下列的復合物：

碳納米管；或

銦。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝(100)，進一步包括布置在導熱材料(176)上的散熱器(170)，所述導熱材料(176)布置在所述集成電路(120)的所述高功率區域(122)上，所述蓋體積(160)配置為容納所述散熱器(170)同時引導所述流體(250)的流在所述散熱器(170)上方流動，所述散熱器(170)具有多個鰭(172)。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝(100)，其中所述低功率區域(124)和所述高功率區域(122)不重疊。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝(100)，其中所述存儲器支撐件(140)包括多孔材料。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝(100)，其中所述多孔材料限定規則間隔的孔(142)。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝(100)，進一步包括布置在所述集成電路(120)上的內插件(112)。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝(100)，其中所述存儲器支撐件(140)配置為電連接所述堆棧式存儲器(130)和所述集成電路(120)。