[發(fā)明專利]變阻裝置及其制備方法以及微波開關(guān)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710088989.X | 申請日： | 2017-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN107017340A | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張繼華;王艷艷 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01P1/10;H01P1/15 |
| 代理公司： | 成都惠迪專利事務(wù)所(普通合伙)51215 | 代理人： | 劉勛 |
| 地址： | 610000 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 裝置 及其 制備 方法 以及 微波 開關(guān) | ||
1.變阻裝置，包括襯底、底電極、電絕緣層、GeTe薄膜層和頂電極，其特征在于，在GeTe薄膜層和頂電極之間，設(shè)置有石墨烯薄膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的變阻裝置，其特征在于，所述石墨烯薄膜層的厚度為6～12nm。
3.微波開關(guān)，包括變阻裝置，其特征在于，所述變阻裝置包括襯底、底電極、電絕緣層、GeTe薄膜層和頂電極，在GeTe薄膜層和頂電極之間，設(shè)置有石墨烯薄膜層，石墨烯薄膜層的厚度為6～12nm。
4.變阻裝置的制備方法，包括下述步驟：
1)選用(100)Si/SiO2基片，清洗，吹干；
2)用真空蒸發(fā)鍍膜的方法在基片上沉積一層NiCr作為附著層，并沉積Au薄膜作為底電極；用PECVD沉積一層SiO2作為電絕緣層和熱絕緣，用正膠光刻出底電極與GeTe薄膜的接觸孔；
3)在光刻好的SiO2層上涂一層光刻膠，對其進行一次曝光和泛曝光后顯影出與接觸孔相同的圖形，用射頻磁控濺射濺射GeTe薄膜，在丙酮中剝離出GeTe薄膜圖形；
4)在剝離完好的圖形上涂一層光刻膠，對其進行一次曝光和泛曝光后顯影出與接觸孔相同的圖形，最后沉積一層石墨烯薄膜，在丙酮中剝離出圖形；
5)電子束蒸發(fā)Au薄膜作為上電極。
5.如權(quán)利要求3所述的變阻裝置的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中，NiCr厚度為50nm～70nm，Au薄膜厚度為300nm～400nm，SiO2厚度為600nm～700nm。
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