[發明專利]一種自驅動陽極輔助柵絕緣柵雙極型晶體管有效

申請號：	201710088554.5	申請日：	2017-02-20
公開（公告）號：	CN106783991B	公開（公告）日：	2020-06-23
發明（設計）人：	陳文鎖;蒲賢潔;廖瑞金;曾正;邵偉華;李輝	申請（專利權）人：	重慶大學
主分類號：	H01L29/739	分類號：	H01L29/739
代理公司：	重慶大學專利中心 50201	代理人：	王翔
地址：	400044 ***	國省代碼：	重慶;50
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種驅動陽極輔助絕緣柵雙極型晶體管
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【權利要求書】：

1.一種自驅動陽極輔助柵絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：包括陽極接觸區(1)、重摻雜第二導電類型陽極區(2)、第一導電類型陽極緩沖區(3)、第一導電類型漂移區(4)、第二導電類型陰極阱區(5)、重摻雜第一導電類型陰極區(6)、重摻雜第二導電類型陰極區(7)、陰極接觸區(8)、柵極介質層(9)、柵極接觸區(10)、第二導電類型陽極阱區(11)、重摻雜第一導電類型陽極區(12)、陽極輔助柵介質層(13)和陽極輔助柵接觸區(14)；

所述第一導電類型漂移區(4)覆蓋于第一導電類型陽極緩沖區(3)之上；

所述第二導電類型陰極阱區(5)覆蓋于第一導電類型漂移區(4)之上的部分表面；

所述重摻雜第一導電類型陰極區(6)和重摻雜第二導電類型陰極區(7)覆蓋于第二導電類型陰極阱區(5)之上的部分表面；

所述陰極接觸區(8)覆蓋于重摻雜第二導電類型陰極區(7)之上，所述陰極接觸區(8)還覆蓋于重摻雜第一導電類型陰極區(6)之上的部分表面；

所述柵極介質層(9)覆蓋于第二導電類型陰極阱區(5)之上的部分表面，所述柵極介質層(9)還覆蓋于重摻雜第一導電類型陰極區(6)之上的部分表面和第一導電類型漂移區(4)之上的部分表面；

所述柵極接觸區(10)覆蓋于柵極介質層(9)之上；

所述重摻雜第二導電類型陽極區(2)覆蓋于第一導電類型陽極緩沖區(3)之下的部分表面；

所述重摻雜第二導電類型陽極區(2)和第二導電類型陽極阱區(11)不接觸；

所述第二導電類型陽極阱區(11)覆蓋于第一導電類型陽極緩沖區(3)之下的部分表面；

所述重摻雜第一導電類型陽極區(12)覆蓋于第二導電類型陽極阱區(11)之下的部分表面；

所述陽極輔助柵介質層(13)覆蓋于第二導電類型陽極阱區(11)之下的部分表面，所述陽極輔助柵介質層(13)還覆蓋于重摻雜第一導電類型陽極區(12)之下的部分表面和第一導電類型陽極緩沖區(3)之下的部分表面；

所述陽極輔助柵接觸區(14)覆蓋于陽極輔助柵介質層(13)之下；

所述陽極接觸區(1)覆蓋于陽極輔助柵接觸區(14)之下，所述陽極接觸區(1)還覆蓋于第二導電類型陽極區(2)之下的部分表面和重摻雜第一導電類型陽極區(12)之下的部分表面；

所述陽極接觸區(1)和第二導電類型陽極阱區(11)不接觸。

2.一種自驅動陽極輔助柵絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：包括陽極接觸區(1)、重摻雜第二導電類型陽極區(2)、第一導電類型陽極緩沖區(3)、第一導電類型漂移區(4)、第二導電類型陰極阱區(5)、重摻雜第一導電類型陰極區(6)、重摻雜第二導電類型陰極區(7)、陰極接觸區(8)、柵極介質層(9)、柵極接觸區(10)、第二導電類型陽極阱區(11)、重摻雜第一導電類型陽極區(12)和陽極輔助柵介質層(13)；