[發明專利]元件芯片及其制造方法

有效

• 申請號: 201710088441.5
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN107180789B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 水野文二;廣島滿;置田尚吾;松原功幸;針貝篤史
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/308
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 齊秀鳳

1.一種元件芯片的制造方法，包括：

準備基板的工序，所述基板具備第1主面以及第2主面，并且具備作為半導體層的第1層和包含形成在所述第1層的所述第1主面側的絕緣膜的第2層，所述基板具備多個元件區域和劃定所述元件區域的分割區域；

激光劃片工序，從所述第1主面側對所述分割區域照射激光，從而在所述分割區域形成具備露出所述第1層的露出部的開口；

保護膜沉積工序，在所述激光劃片工序之后，使保護膜沉積在所述元件區域以及所述分割區域；

保護膜蝕刻工序，在所述保護膜沉積工序之后，使所述基板暴露于第1等離子體來各向異性地蝕刻所述保護膜，從而除去沉積在所述分割區域的所述保護膜的一部分以及沉積在所述元件區域的所述保護膜，并且使覆蓋所述元件區域的端面的所述保護膜殘留；

各向同性蝕刻工序，在所述保護膜蝕刻工序之后，使所述基板暴露于第2等離子體來各向同性地蝕刻所述分割區域；和

等離子體切割工序，在所述各向同性蝕刻工序之后，在用支承構件支承了所述第2主面的狀態下，將所述基板暴露于第3等離子體來各向異性地蝕刻所述分割區域，從而將所述基板分割為具備所述元件區域的多個元件芯片。

2.根據權利要求1所述的元件芯片的制造方法，其中，

在所述保護膜沉積工序中，將包含氟化碳的工藝氣體作為原料來產生第4等離子體。

3.根據權利要求1或2所述的元件芯片的制造方法，其中，

在所述各向同性蝕刻工序中，將包含六氟化硫的工藝氣體作為原料來產生所述第2等離子體。

4.一種元件芯片，具備：

第1層，其是半導體層，并且具備層疊面以及與層疊面相反的一側的面；

第2層，其包含層疊在所述層疊面上的絕緣膜；和

保護膜，其在所述第2層的端面包圍所述第2層的外周，并且比所述第1層的端面突出，

所述第1層的端面的一部分由所述保護膜被覆，所述第1層的未由所述保護膜被覆的端面位于所述保護膜的表面的內側且所述第2層的端面的外側。

5.根據權利要求4所述的元件芯片，其中，

所述保護膜包含氟化碳。