[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710087455.5 | 申請日: | 2017-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN107104065B | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梶原正幸;安藤了至;正木洋一;稻田博一 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32;H01J37/305 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,包括:
多個基板處理部,其進(jìn)行產(chǎn)生包含附著成分的氣氛的基板處理;
分別設(shè)置在所述多個基板處理部的、用于對該基板處理部中的基板的氣氛進(jìn)行排氣的獨(dú)立排氣通路;
匯合各個所述獨(dú)立排氣通路,并且通過排氣能力設(shè)備排氣的共用排氣通路;
設(shè)置在各個所述獨(dú)立排氣通路的、用于測定所述獨(dú)立排氣通路的排氣壓力的第一壓力測定部;
設(shè)置在所述共用排氣通路的、用于測定該共用排氣通路的排氣壓力的第二壓力測定部;
異常檢測部,其基于所述第一壓力測定部的測定值與第一容許壓力范圍的比較結(jié)果和所述第二壓力測定部的測定值與第二容許壓力范圍的比較結(jié)果,來檢測獨(dú)立排氣通路中的異常;和
排氣量調(diào)整部,其設(shè)置在所述獨(dú)立排氣通路中的、比第一壓力測定部的測定位置靠共用排氣通路一側(cè),在對基板進(jìn)行規(guī)定的處理時的強(qiáng)排氣模式與以比該強(qiáng)排氣模式時的排氣量少的排氣量進(jìn)行排氣的弱排氣模式之間進(jìn)行切換,
所述第一容許壓力范圍是分別與所述強(qiáng)排氣模式和弱排氣模式對應(yīng)地設(shè)定的。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述異常檢測部構(gòu)成為,當(dāng)所述第一壓力測定部的測定值比第一容許壓力范圍的上限高且所述第二壓力測定部的測定值落在第二容許壓力范圍內(nèi)時,判斷為設(shè)置有該第一壓力測定部的獨(dú)立排氣通路發(fā)生了堵塞。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述異常檢測部構(gòu)成為,當(dāng)所述第一壓力測定部的測定值比第一容許壓力范圍的下限低且所述第二壓力測定部的測定值落在第二容許壓力范圍內(nèi)時,判斷為設(shè)置有該第一壓力測定部的獨(dú)立排氣通路發(fā)生了泄漏。
4.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述異常檢測部構(gòu)成為,當(dāng)所述第二壓力測定部的測定值比第二容許壓力范圍的上限高時,判斷為排氣能力設(shè)備的能力增加,并且所述第二壓力測定部的測定值比第二容許壓力范圍的下限低時,判斷為排氣能力設(shè)備的能力減少。
5.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述基板處理部包括:將基板保持為水平的基板保持部;使基板保持部繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu);和包圍保持于基板保持部的基板的周圍,經(jīng)由所述獨(dú)立排氣通路對內(nèi)部的氣氛排氣的杯體,
所述基板處理為在對基板供給了涂敷液的狀態(tài)下使基板旋轉(zhuǎn)的涂敷處理。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述涂敷液為用于在基板形成抗蝕劑膜的抗蝕劑液。
7.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述排氣量調(diào)整部為調(diào)節(jié)風(fēng)門,
依照所述調(diào)節(jié)風(fēng)門的狀態(tài),能夠選擇與所述強(qiáng)排氣模式對應(yīng)的第一容許壓力范圍和與所述弱排氣模式對應(yīng)的第一容許壓力范圍的一者。
8.一種基板處理方法,其特征在于,包括:
由基板處理部進(jìn)行產(chǎn)生包含附著成分的氣氛的基板處理的步驟;
由獨(dú)立排氣通路和共用排氣通路對基板處理部的氣氛進(jìn)行排氣的步驟,其中,所述獨(dú)立排氣通路分別設(shè)置在多個 所述基板處理部,用于對該基板處理部中的基板的氣氛進(jìn)行排氣,所述共用排氣通路匯合各個所述獨(dú)立排氣通路,并且通過排氣能力設(shè)備進(jìn)行排氣;
由分別設(shè)置在所述獨(dú)立排氣通路的第一壓力測定部測定所述獨(dú)立排氣通路的排氣壓力的步驟;
由設(shè)置在所述共用排氣通路的第二壓力測定部測定在共用排氣通路流通的排氣的排氣壓力的步驟;和
基于各個第一壓力測定部的測定值與第一容許壓力范圍的比較結(jié)果和第二壓力測定部的測定值與第二容許壓力范圍的比較結(jié)果,檢測獨(dú)立排氣通路中的異常的步驟,
用設(shè)置在所述獨(dú)立排氣通路中的、比第一壓力測定部的測定位置靠共用排氣通路一側(cè)排氣量調(diào)整部,在對基板進(jìn)行規(guī)定的處理時的強(qiáng)排氣模式與以比該強(qiáng)排氣模式時的排氣量少的排氣量進(jìn)行排氣的弱排氣模式之間進(jìn)行切換,
所述第一容許壓力范圍是分別與所述強(qiáng)排氣模式和弱排氣模式對應(yīng)地設(shè)定的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





