[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201710087324.7
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN108615685A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 林柏均
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/10;H01L23/367;H01L23/528
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;鄭特強

1.一種半導體結構，包括：

一第一半導體元件；

至少一傳導件，位于該第一半導體元件上；

一第二半導體元件，位于該第一半導體元件上；

一封裝件，位于該第一半導體元件上，以及該封裝件環繞該第二半導體元件與該至少一傳導件；以及

一重布線層，位于該第二半導體元件與該至少一傳導件上。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第二半導體元件位于該第一半導體元件上，該第二半導體元件與該第一半導體元件之間實質上無使用一電路基板。

3.如權利要求2所述的半導體結構，還包括一第三半導體元件，位于該第一半導體元件上，該第一半導體元件與該第三半導體元件之間實質上無使用一電路基板。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該至少一傳導件位于該第一半導體元件上，該至少一傳導件與該第一半導體元件之間實質上無使用焊接材料。

5.如權利要求1所述的半導體結構，還包括至少一傳導接合，位于該重布線層上。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一半導體元件為一存儲器元件。

7.如權利要求1所述的半導體結構，還包括一第三半導體元件，位于該第一半導體元件上，其中該第二半導體元件為一邏輯元件，以及該第三半導體元件為一存儲器元件。

8.如權利要求1所述的半導體結構，包括一散熱路徑，位于該第一半導體元件與該第二半導體元件之間。

9.如權利要求8所述的半導體結構，還包括一第三半導體元件，位于該第一半導體元件上；以及一散熱路徑，位于該第一半導體元件與該第三半導體元件之間。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第二半導體元件與該第一半導體元件的熱阻小于該第二半導體元件與該重布線層的熱阻。

11.如權利要求10所述的半導體結構，還包括一第三半導體元件，位于該第一半導體元件上，其中該第三半導體元件與該第一半導體元件之間的熱阻小于該第三半導體元件與該重布線層之間的熱阻。

12.如權利要求1所述的半導體結構，還包括一第三半導體元件，位于該第一半導體元件上，其中該第二半導體元件與該第三半導體元件經由一粘著劑而設置于該第一半導體元件上。

13.一種半導體結構的制造方法，包括：

提供一第一半導體元件；

形成至少一傳導件于該第一半導體元件上；

附接一第二半導體元件于該第一半導體元件上；

形成一封裝件于該第一半導體元件上，其中該封裝件環繞該第二半導體元件與該至少一傳導件；以及

形成一重布線層于該第二半導體元件與該至少一傳導件上。

14.如權利要求13所述的制造方法，其中附接該第二半導體元件至該第一半導體元件的制程，該第二半導體元件與該第一半導體元件之間實質上無使用一電路基板。

15.如權利要求13所述的制造方法，還包括：附接一第三半導體元件至該第一半導體元件的制程，該第三半導體元件與該第一半導體元件之間實質上無使用一電路基板。

16.如權利要求13所述的制造方法，其中附接該至少一傳導件至該第一半導體元件的制程，該至少一傳導件與該第一半導體元件之間實質上無使用焊接材料。

17.如權利要求13所述的制造方法，還包括形成至少一傳導接合于該重布線層上。