[發明專利]液晶顯示面板及其像素電路結構

在審

• 申請號: 201710087322.8
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN106710556A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 應見見
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 袁江龍

技術領域

本發明涉及液晶顯示器的技術領域，具體是涉及一種液晶顯示面板及其像素電路結構。

背景技術

高分辨率，高PPI(Pixel per Inch)的面板顯示畫面精細和細膩，從而達到超高清顯示，是顯示科技發展的一個方向，對應的像素尺寸也隨著分辨率和PPI的提高而減小，像素尺寸減小，單位面積的金屬面積增加，相應開口率降低，對應的穿透率會降低，因此穿透率的是高分辨率高PPI像素設計一個重點考量因素。VA(Vertical Alignment)模式基于大視角的考慮，一般都會有大視角補償的設計，即有放電電容(Cdown)，現有設計方案中，一般將放電電容設置在Com(公共電極)線上，這種設計會犧牲像素的開口率，進而降低產品穿透率。

發明內容

本發明實施例提供一種液晶顯示面板及其像素電路結構，以解決現有技術中液晶顯示面板由于像素開口率低而導致穿透率低的技術問題。

為解決上述問題，本發明實施例一方面提供了一種具有高穿透率的像素電路結構，所述像素電路結構包括數據線、第一掃描線以及第二掃描線，其中所述第一掃描線分別與主像素電極以及副像素電極的柵極連接，所述第二掃描線與分配電極的柵極連接，所述主像素電極和所述副像素電極的源極分別與所述數據線連接，漏極分別連接等效液晶電容；所述分配電極的源極與所述副像素電極的漏極連接，源極與所述第一掃描線之間設有第一放電電容。

根據本發明一優選實施例，所述第一放電電容與所述分配電極分別設于不同的掃描線上。

根據本發明一優選實施例，所述第一放電電容設于所述第一掃描線上。

根據本發明一優選實施例，所述分配電極設于所述第二掃描線上。

根據本發明一優選實施例，所述主像素電極和所述分配電極的漏極之間設有第二放電電容。

根據本發明一優選實施例，所述第二放電電容設于所述第一掃描線或者所述第二掃描線上。

根據本發明一優選實施例，所述第二放電電容設于所述第一掃描線上。

根據本發明一優選實施例，所述等效液晶電容的一端與分別與所述主像素電極和所述副像素電極的漏極連接，另一端分別與彩膜基板的公共電極連接。

根據本發明一優選實施例，所述主像素電極和所述副像素電極的漏極分別與保持電容的一端連接，所述保持電容的另一端與公共電極連接。

為解決上述技術問題，本發明實施例另一方面提供一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括上述實施例中任一項所述的像素電路結構。

相對于現有技術，本發明提供的液晶顯示面板及其像素電路結構，在不改變大視角效果前提下，優化放電電容的設計位置，將其設計在掃描線(Gate)上，不占用面內開口區，可以大幅度提升開口率，進而提高液晶面板的穿透率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明具有高穿透率的像素電路結構第一實施例的電路圖；

圖2是圖1實施例中像素電路結構的布線圖；

圖3是本發明具有高穿透率的像素電路結構第二實施例的電路圖；

圖4是圖3實施例中像素電路結構的布線圖；

圖5是像素電路結構的電路控制波形圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本發明作進一步的詳細描述。特別指出的是，以下實施例僅用于說明本發明，但不對本發明的范圍進行限定。同樣的，以下實施例僅為本發明的部分實施例而非全部實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。

像素電路結構實施例1

請一并參閱圖1和圖2，圖1是本發明具有高穿透率的像素電路結構第一實施例的電路圖，圖2是圖1實施例中像素電路結構的布線圖；該像素電路結構包括第一掃描線101、第二掃描線102以及數據線103。

具體而言，該第一掃描線101分別與主像素電極104以及副像素電極105開關的柵極連接，第一掃描線101用于控制主像素電極104(Main)和副像素電極105(Sub TFT)的開關；而第二掃描線102與分配電極106的柵極連接，第二掃描線102用于控制分配電極106(Sharing TFT)的開關，給Sub PE(Pixel electrode)放電。