[發(fā)明專利]導向升降結構和腔室傳片機構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710087272.3 | 申請日: | 2017-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN108461435B | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 史全宇 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京正和明知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11845 | 代理人: | 馮志慧 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導向 升降 結構 腔室傳片 機構 | ||
1.一種導向升降結構,用于完成晶片在腔室內的升降動作,所述導向升降結構包括升降單元、密封單元、軸承單元和保持單元,其特征在于,所述升降單元包括升降主軸,所述密封單元包括密封圈和密封法蘭,所述密封圈和所述密封法蘭設置于所述升降主軸的外圍;所述軸承單元包括上端軸承和下端軸承,所述上端軸承和所述下端軸承同軸心設置、且分別對應設置于所述升降單元的上端外圍和下端外圍;所述上端軸承嵌套在所述升降主軸與所述密封法蘭之間,所述上端軸承、所述密封法蘭通過波紋管與所述升降主軸固定連接,使所述上端軸承位于密封環(huán)境內,所述下端軸承處于大氣環(huán)境中。
2.根據(jù)權利要求1所述的導向升降結構,其特征在于,在所述下端軸承內表層的上下兩側,分別開設有多道環(huán)形的儲油槽,所述儲油槽內設置有潤滑油。
3.根據(jù)權利要求2所述的導向升降結構,其特征在于,在所述下端軸承內表層位于上下兩側的對稱位置處,分別各開設有一道所述儲油槽,所述儲油槽的直徑大于所述下端軸承的內徑。
4.根據(jù)權利要求1所述的導向升降結構,其特征在于,在所述上端軸承內表層的軸向方向的相對兩側分別開設有通氣槽。
5.根據(jù)權利要求1所述的導向升降結構,其特征在于,所述上端軸承和所述下端軸承均采用銅材質材料形成。
6.根據(jù)權利要求1所述的導向升降結構,其特征在于,所述上端軸承、所述波紋管、所述密封法蘭以及所述升降主軸焊接連接。
7.根據(jù)權利要求1所述的導向升降結構,其特征在于,所述保持單元包括保持架和軸承擋圈,所述下端軸承和所述密封法蘭部分嵌套在所述升降主軸與所述保持架之間,所述軸承擋圈設置于所述下端軸承的下側,所述保持架用于對所述下端軸承和所述密封法蘭進行固定,所述軸承擋圈用于對所述下端軸承進行單側限位。
8.一種腔室傳片機構,包括晶片托架結構、導向升降結構和動力結構,其特征在于,所述導向升降結構采用權利要求1-7任一項所述的導向升降結構,所述升降主軸的下端連接所述動力結構的輸出部,所述晶片托架結構和所述上端軸承處于腔室內部,所述下端軸承和所述動力結構處于腔室外部。
9.根據(jù)權利要求8所述的腔室傳片機構,其特征在于,所述晶片托架結構與所述導向升降結構可拆卸連接,所述導向升降結構與所述動力結構的輸出部可拆卸配合連接;所述導向升降結構通過所述密封圈與腔室連通。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





