[發明專利]基于場氧層電場調制的功率器件

有效

• 申請號: 201710086446.4
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN106803518B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 李海鷗;羅樂;李琦;首照宇;陳永和;楊年炯;李思敏;張法碧;高喜;傅濤
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學;廣西科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.基于場氧層電場調制的功率器件，該功率器件包括場氧層(8)和有源層(3)，場氧層(8)位于有源層(3)之上；

場氧層(8)內還設有固定界面電荷區(9)；固定界面電荷區(9)的電荷極性與有源層(3)離子所屬的極性相同；固定界面電荷區(9)位于場氧層(8)的下部，并與場氧層(8)的下表面即場氧層(8)和有源層(3)的交界面相接觸；其特征在于：固定界面電荷區(9)在橫向延伸方向上呈間斷設置，即固定界面電荷區(9)由若干獨立的間隔分塊組成，這些間隔分塊在水平方向上依次排列；固定界面電荷區(9)分塊地形成橫向變摻雜，即每個間隔分塊具有一個固定的面電荷密度，每個間隔分塊的面電荷密度各不相同；

有源層(3)內還設有漂移摻雜區(10)；漂移摻雜區(10)的摻雜類型與有源層(3)的摻雜類型相反；漂移摻雜區(10)位于有源層(3)的上部，并與有源層(3)的上表面即場氧層(8)和有源層(3)的交界面相接觸；漂移摻雜區(10)位于固定電荷區的正下方。

2.根據權利要求1所述基于場氧層電場調制的功率器件，其特征在于：功率器件為橫向功率器件。

3.根據權利要求1所述基于場氧層電場調制的功率器件，其特征在于：有源層(3)的材質為Si、SiC、GaAs、SiGe或GaN。