[發(fā)明專利]半導體裝置、功率轉換裝置以及車輛

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710085598.2
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN107465335B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設計）人: 池田健太郎;高尾和人
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 夏斌

本發(fā)明涉及半導體裝置、功率轉換裝置以及車輛。提供能夠兼顧高速動作與電壓變動抑制的半導體裝置。實施方式的半導體裝置具備：第1晶體管，具備第1電極、第2電極以及第1控制電極，進行開關動作；第2晶體管，具有與第2電極電連接的第3電極、第4電極以及第2控制電極，進行模擬動作；以及第3晶體管，具有與第4電極電連接的第5電極、第6電極以及第3控制電極。

本申請以日本專利申請2016-112793(申請日：2016年6月6日)為基礎，享受該申請的優(yōu)先權。本申請通過參照該申請而包含該申請的全部內(nèi)容。

技術領域

本發(fā)明的實施方式涉及半導體裝置、功率轉換裝置以及車輛。

背景技術

使用了MOSFFT(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：場效應晶體管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管)等半導體裝置的功率轉換裝置的開發(fā)正在盛行。

在上述功率轉換裝置中，有時在半導體裝置的斷開時或者接通時產(chǎn)生浪涌等電壓變動。當產(chǎn)生較大的電壓變動時，會產(chǎn)生半導體裝置的破壞而成為問題。因而，要求抑制電壓變動。但是，電壓變動的抑制與半導體裝置的高速動作有可能相反。即，由于高速動作使開關損耗降低，因此浪涌等電壓變動抑制與開關損耗抑制一般相反。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的課題在于，提供能夠兼顧高速動作與電壓變動抑制的半導體裝置、功率轉換裝置以及車輛。

實施方式的半導體裝置具備：第1晶體管，具有第1電極、第2電極以及第1控制電極，進行開關動作；第2晶體管，具有與上述第2電極電連接的第3電極、第4電極以及第2控制電極，進行模擬動作；以及第3晶體管，具有與上述第4電極電連接的第5電極、第6電極以及第3控制電極。

根據(jù)上述構成，提供能夠兼顧高速動作與電壓變動抑制的半導體裝置、功率轉換裝置以及車輛。

附圖說明

圖1是第1實施方式的功率轉換系統(tǒng)的模式圖。

圖2是第1實施方式的半導體裝置的模式圖。

圖3是第1實施方式的半導體裝置的作用效果的說明圖。

圖4是第2實施方式的半導體裝置的模式圖。

圖5是第3實施方式的半導體裝置的模式圖。

圖6A以及圖6B是第3實施方式的半導體裝置的作用效果的說明圖。

圖7是第4實施方式的半導體裝置的模式圖。

圖8是第4實施方式的其他方式的半導體裝置的模式圖。

圖9是第4實施方式的半導體裝置的控制方法的模式圖。

圖10是第5實施方式的封裝的模式圖。

圖11是第6實施方式的驅動裝置的模式圖。

圖12是第7實施方式的車輛的模式圖。

圖13是第8實施方式的車輛的模式圖。

圖14是第9實施方式的升降機的模式圖。

符號的說明