[發明專利]一種適于生產的低成本高穩定性太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201710085148.3 | 申請日: | 2017-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN106601833A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 鎮江皮埃納米科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/073;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適于 生產 低成本 穩定性 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種適于生產的低成本高穩定性太陽能電池及其制備方法,該電池包括依次層疊的透光/透明電極層、吸光層、電子吸收層、空穴傳輸層和頂電極,其中: 所述吸光層為具有鈣鈦礦結構的材料;所述電子吸收層是由富勒烯衍生物構成;所述空穴傳輸層由三元氧化物構成,所述頂電極由導電性能良好的材料構成。
2.一種如權利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述空穴傳輸層由Ti、Nb、O三種元素構成,且Nb/Ti的摩爾比介于1:30與1:10之間。
3.一種如權利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述吸光層厚度在20-100nm之間,所述電子吸收層厚度在30-150nm之間,所述頂電極厚度在50-300nm之間。
4.一種如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其制備方法包含以下步驟:
1)采用導電玻璃作為透光/透明電極層; ?
2)制備吸光層:
a. 配制PbI2溶液, PbI2的濃度為0.5-3.0Mol/L, 溶劑為二甲基甲酰胺;
b.配制 CH3NH3I溶液:濃度5-10mg/mL, 溶劑為異丙醇;
采用溶液法原位合成鈣鈦礦材料:先在電極層上旋涂PbI2溶液,烘干后放入CH3NH3I 溶液中浸泡生長出鈣鈦礦材料,得到鈣鈦礦吸光層;然后在5個大氣壓的作用下進行壓片處理;通過控制PbI2與CH3NH3I反應溶液的濃度,控制鈣鈦礦的形貌與厚度,厚度控制在20-100nm之間;
3)制備電子吸收層:
采用富勒烯衍生物的氯苯溶液旋涂于吸光層,烘干,得到電子吸收層,控制溶液的濃度與涂布厚度,使電子吸收層的厚度在30-150nm之間;最后在5個大氣壓的作用下進行壓片處理;
4)制備空穴傳輸層:
將異丙氧基鈦(或雙 ( 乙酰丙酮基 ) 二異丙基鈦酸酯前驅體溶液)與乙醇鈮的混合,攪拌均勻,旋涂于電子吸收層上;
5)頂電極的制備:
采用真空熱蒸鍍、噴涂、沉積等方法,在器件上表面蒸鍍50-300nm的導電金屬層或碳層。
5.如權利要求 1 所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,透明電極的材料為透明且能導電的材料組成,包括但不限于銦錫氧化物(ITO,Indium Tin Oxides)、氟錫氧化物(FTO,fluorine doped tin oxide)、鋁鋅氧化物 (AZO,aluminium-doped zinc oxide)等透明電極材料。
6.如權利要求 1 所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦結構光伏材料為 ABX3 型晶體結構的有機無機雜化鈣鈦礦; 其中,B為鉛、錫、銻,X為鹵素。
7.如權利要求 1 所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,電子吸收層為富勒烯的衍生物,包含但不限于PCBM、PC71BM。
8.如權利要求 1 所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述頂電極為金屬電極或碳材料電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





