[發明專利]半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器

有效

• 申請號: 201710084937.5
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN106898937B
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 譚榮清;黃偉;李志永
• 申請（專利權）人: 中國科學院電子學研究所
• 主分類號: H01S3/03
• 分類號: H01S3/03;H01S3/091;H01S3/227
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，包括n個半導體泵浦源、m個堿金屬蒸氣室和一諧振腔，其特征在于，還包括n個轉向元件，與所述n個半導體泵浦源一一對應，用于分別改變所述n個半導體泵浦源發出的泵浦光的傳播方向；不管所述n個轉向元件如何設置，所述n個半導體泵浦源發出的泵浦光在所述m個堿金屬蒸氣室中最終為近軸光；其中，n、m為自然數，且所述泵浦光是從所述堿金屬蒸氣室的側面入射，并在所述堿金屬蒸氣室中置入轉向元件，令泵浦光轉向并聚焦在中心軸線上。

2.如權利要求1所述的半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，其特征在于，所述n個半導體泵浦源發出的泵浦光經對應的轉換元件改變傳播方向后，會聚點分別位于所述m個堿金屬蒸氣室內的不同位置。

3.如權利要求1所述的半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，其特征在于，所述n個轉向元件為偏振分光棱鏡、中心有孔的平面反射鏡、中心有孔的凹面反射鏡和鍍有雙色膜的平面反射鏡的任意組合。

4.如權利要求3所述的半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，其特征在于，所述轉向元件的主體材料為對近紅外激光吸收率低于1％、透過率大于98％的材料。

5.如權利要求1所述的半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，其特征在于，所述n個轉向元件的位置為位于所述m個堿金屬蒸氣室的內部、左側和右側的任意組合。

6.如權利要求1所述的半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，其特征在于，所述堿金屬蒸氣室為1個，轉向元件為3個，其中2個轉向元件位于所述堿金屬蒸氣室內部，1個轉向元件位于所述堿金屬蒸氣室的左側或右側。

7.如權利要求1所述的半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，其特征在于，所述堿金屬蒸氣室為1個，轉向元件為5個，所述5個轉向元件均位于所述堿金屬蒸氣室內。

8.如權利要求1所述的半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，其特征在于，所述堿金屬蒸氣室為1個，轉向元件為4個，其中2個轉向元件位于所述堿金屬蒸氣室內，2個轉向元件分別位于所述堿金屬蒸氣室的兩側。

9.如權利要求1所述的半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，其特征在于，所述堿金屬蒸汽室為2個，轉向元件為8個，其中2個轉向元件位于一堿金屬蒸氣室內，2個轉向元件位于另一堿金屬蒸氣室內，4個轉向元件分別位于所述2個堿金屬蒸氣室的兩側。

10.如權利要求1所述的半導體激光器側面耦合軸向泵浦的堿金屬激光器，其特征在于，所述n個半導體泵浦源為環形激光器、Bar條或疊陣激光器。