[發明專利]高孔率介孔硅質結構有效
| 申請號： | 201710084683.7 | 申請日： | 2012-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN106744993B | 公開（公告）日： | 2019-11-29 |
| 發明（設計）人： | B·A·基羅斯;C·L·特維;S·T·馬托西;C·J·塔克;A·M·凱利-羅維利 | 申請（專利權）人： | 陶氏環球技術有限責任公司 |
| 主分類號： | C01B33/12 | 分類號： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律師事務所 | 代理人： | 吳亦華;呂小羽<國際申請>=<國際公布> |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 水性反應介質 氧化硅 膠束 交聯 非離子型表面活性劑 水溶性二氧化硅 介孔結構 優選 堿金屬硅酸鹽 硅酸 表面活性劑 氧化硅源 聚硅酸 溶脹劑 溶脹 制備 升高 合并 暴露 期望 表現 | ||
1.包含含有氧化硅交聯網絡的介孔結構的組合物，所述介孔結構表現出2.5cm3/g或更高的孔體積并且是非晶的，其中根據粉末X-射線衍射測定，所述介孔結構不包含結晶峰，并且其中交聯氧化硅單元含有濃度為6重量％或更高的來自硅烷醇基的OH。
2.根據權利要求1所述的組合物，其中所述交聯網絡的連接度為2.5或更低，其中連接度由Q4/(Q2+Q3)定義，其中Q4是與其它氧化硅單元具有四個鍵的氧化硅單元數量，Q3是與其它氧化硅單元具有三個鍵的氧化硅單元數量，和Q2是與其它氧化硅單元具有兩個鍵的氧化硅單元數量。
3.根據權利要求1所述的組合物，其中所述介孔結構未暴露于煅燒。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的組合物，其中所述交聯氧化硅單元限定1至100納米的孔，其中限定孔的所述交聯氧化硅單元通過包含交聯氧化硅結構的支柱相互連接，其中由所述支柱和限定孔的所述交聯氧化硅單元形成窗口，并且所述窗口具有2納米至20納米的尺寸。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的組合物，其中所形成的介孔結構當與四氯化碳接觸時是不透明的。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的組合物，其中所述介孔結構包含0.01至50.0重量％的有機化合物。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的組合物，其中所述介孔結構包含0.005至0.5重量％的金屬、金屬氧化物或金屬離子。
8.根據權利要求4所述的組合物，其中所述孔尺寸與窗口尺寸的比率是0.5至2.0。
9.根據權利要求1至3中任一項所述的組合物，其中根據X-射線衍射測定在2θ＝0-10°的范圍內，所述介孔結構不包含結晶峰。
10.根據權利要求1至3中任一項所述的組合物，其中所述組合物不含烷醇。
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