[發(fā)明專利]一種E-TSPC觸發(fā)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710084597.6
• 申請(qǐng)日: 2017-02-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106992769B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳華靈;譚洪舟;路崇;陸許明;徐永鍵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東順德中山大學(xué)卡內(nèi)基梅隆大學(xué)國(guó)際聯(lián)合研究院;中山大學(xué)花都產(chǎn)業(yè)科技研究院;中山大學(xué)
• 主分類號(hào): H03K3/356
• 分類號(hào): H03K3/356
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 林麗明

1.一種E-TSPC觸發(fā)器,其特征在于：包括第一級(jí)反相器、第二級(jí)反相器、第三級(jí)反相器、交流電平放大電路、電源vdd1和電源vdd2；其中第一級(jí)反相的輸入端接入信號(hào)源輸出端D，第一級(jí)反相的輸出端接第二級(jí)反相器的輸入端，第二級(jí)反相器的輸出端接第三級(jí)反相器的輸入端，第三級(jí)反相器的輸出端接交流電平放大電路的輸入端；所述第一級(jí)反相器、交流電平放大電路采用電源vdd1供電，第二級(jí)反相器、第三級(jí)反相器采用電源vdd2供電；電源vdd1的供電電壓為工藝標(biāo)準(zhǔn)電壓，電源vdd2的供電電壓大于工藝標(biāo)準(zhǔn)電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E-TSPC觸發(fā)器，其特征在于：所述第一級(jí)反相器包括NMOS管MN1、NMOS管MN2和PMOS管MP1；其中NMOS管MN1的柵極、PMOS管MP1的柵極作為第一級(jí)反相器的輸入端與信號(hào)源輸出端D連接；NMOS管MN1的漏極和NMOS管MN2的源極連接；NMOS管MN1的源極接地；PMOS管MP1的漏極和NMOS管MN2的漏極連接；NMOS管MN2的柵極接入時(shí)鐘信號(hào)clk；PMOS管MP1的源極接入電源vdd1；PMOS管MP1的漏極和NMOS管MN2的漏極作為第一級(jí)反相器的輸出端與第二級(jí)反相器的輸入端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E-TSPC觸發(fā)器，其特征在于：所述第二級(jí)反相器包括NMOS管MN3和PMOS管MP2；其中NMOS管MN3的漏極和PMOS管MP2的漏極連接；NMOS管MN3的柵極接入時(shí)鐘信號(hào)clk；NMOS管MN3的源極接地；PMOS管MP2的源極接入電源vdd2；PMOS管MP2的柵極作為第二級(jí)反相器的輸入端與跟第一級(jí)反相器的輸出端連接；NMOS管MN3的漏極和PMOS管MP2的漏極作為第二級(jí)反相器的輸出端與第三級(jí)反相器的輸入端連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E-TSPC觸發(fā)器，其特征在于：所述第三級(jí)反相器包括NMOS管MN4和PMOS管MP3；其中NMOS管MN4的漏極和PMOS管MP3的漏極連接；NMOS管MN4的源極接地；PMOS管MP3的源極接入電源vdd2；PMOS管MP3的柵極接入時(shí)鐘信號(hào)clk；NMOS管MN4的柵極作為第三級(jí)反相器的輸入端與第二級(jí)反相器的輸出端連接；NMOS管MN4的漏極和PMOS管MP3的漏極作為第三級(jí)反相器的輸出端與交流電平放大電路的輸入端連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E-TSPC觸發(fā)器，其特征在于：所述交流電平放大電路包括NMOS管MN5、PMOS管MP4、耦合電容C1和偏置電阻R1；其中耦合電容C1的一端與第三反相器的輸出端連接；耦合電容C1的另一端與NMOS管MN5的柵極、PMOS管MP4的柵極連接；NMOS管MN5的漏極與PMOS管MP4的漏極連接；NMOS管MN5的源極接地，PMOS管MP4的漏極接入電源vdd1，NMOS管MN5的柵極、PMOS管MP4的柵極通過(guò)偏置電阻R1與NMOS管MN5的漏極、PMOS管MP4的漏極連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的E-TSPC觸發(fā)器，其特征在于：電源vdd2的供電電壓比電源vdd1的供電電壓高10％-20％。