[發明專利]一種光柵耦合器有效
| 申請號： | 201710084329.4 | 申請日： | 2017-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN106873076B | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發明（設計）人： | 張彥峰;許鵬飛;陳鈺杰;余思遠 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | G02B6/124 | 分類號： | G02B6/124;G02B6/34 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 林麗明 |
| 地址： | 510275 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光柵 耦合器 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光柵耦合器，其特征在于，包括：從下往上依次為帶絕緣層和光柵層的晶片、氧化層和光波導層；其中，光柵層的折射率大于光波導層的折射率；
所述光柵層和光波導層均為預設周期的光柵結構；所述絕緣層上的光柵層作為分布式布拉格光柵反射鏡；
該光柵耦合器制備方法，包括：
S1、以帶絕緣層和光柵層的晶片為襯底，然后在光柵層的頂部從下到上依次外延生長氧化層和光波導層；
S2、進行單次的電子束光刻，并掩膜成型；
S3、對光波導層、氧化層和光柵層整體進行單次的等離子體刻蝕，得到光柵耦合器。
2.根據權利要求1所述的光柵耦合器，其特征在于，包括：
所述絕緣層上的光柵層為硅光柵層，所述光波導層為氮化硅光波導層。
3.根據權利要求1所述的光柵耦合器，其特征在于，包括：
所述絕緣層上的光柵層為砷化鎵晶片或磷化銦晶片。
4.根據權利要求1所述的光柵耦合器，其特征在于，包括：
所述光波導層為預設配比的氮氧化硅、氧化硅光波導層。
5.根據權利要求1至4任意一項所述的光柵耦合器，其特征在于，包括：所述光柵耦合器的預設光柵周期為均勻周期或非均勻周期。
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