[發(fā)明專利]用于無布局套刻控制的方法及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710084211.1
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN107092167B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李永堯;謝逸平
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于套刻控制的方法，所述方法包括：

使用掩模對覆蓋工件的目標(biāo)層進行圖案化，其中，所述圖案化形成根據(jù)第一曝光場布局而布置的多個曝光場；

測量所述曝光場相對于所述工件的對準(zhǔn)，以產(chǎn)生位移矢量；

使用所述位移矢量和參考場布局來訓(xùn)練無布局的場間模型和無布局的場內(nèi)模型；

轉(zhuǎn)變所述無布局的場內(nèi)模型以用于第二曝光場布局，其中，所述第二曝光場布局不同于所述第一曝光場布局；以及

基于訓(xùn)練的所述無布局的場間模型和轉(zhuǎn)變的所述無布局的場內(nèi)模型生成套刻校正，

其中，所述無布局的場間模型定義了場間套刻誤差與場間套刻因子之間的關(guān)系，所述無布局的場內(nèi)模型定義了場內(nèi)套刻誤差與場內(nèi)套刻因子之間的關(guān)系，并且所述訓(xùn)練生成所述場間套刻因子的值和所述場內(nèi)套刻因子的值，

其中，所述轉(zhuǎn)變包括基于所述第二曝光場布局的場內(nèi)模型與所述參考場布局的所述無布局的場內(nèi)模型的預(yù)定關(guān)系而轉(zhuǎn)變用于所述第二曝光場布局的所述場內(nèi)套刻因子的值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

使用另一掩模來圖案化覆蓋另一個工件的另一個目標(biāo)層，使得形成附加曝光場，其中，所述附加曝光場形成為利用所述套刻校正與所述另一個工件對準(zhǔn)并且形成為根據(jù)所述第二曝光場布局來布置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述工件包括第一對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，并且所述圖案化包括：

在所述目標(biāo)層中形成對應(yīng)于所述第一對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的第二對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中，所述測量包括測量所述第二對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對于所述第一對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的未對準(zhǔn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第二對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)遍布在所述曝光場上，并且所述曝光場中的每個曝光場均具有相同數(shù)量和布局的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述圖案化包括：

當(dāng)所述工件根據(jù)所述第一曝光場布局步進時，重復(fù)地將所述工件暴露于所述掩模的圖案。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用以所述參考場布局的參考場的中心為中心的坐標(biāo)系來訓(xùn)練所述場內(nèi)模型。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述場間套刻因子包括工件平移、工件旋轉(zhuǎn)、工件非正交性和工件放大。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述場內(nèi)套刻因子包括掩模平移、對稱掩模旋轉(zhuǎn)、非對稱掩模旋轉(zhuǎn)、對稱掩模放大和非對稱掩模旋轉(zhuǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述圖案化之前形成覆蓋所述工件的所述目標(biāo)層，其中，所述目標(biāo)層形成為光致抗蝕劑。

10.一種用于套刻控制的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

曝光工具，包括設(shè)備參數(shù)，其中，所述曝光工具被配置為將覆蓋工件的感光層暴露于掩模的圖案，使得根據(jù)所述掩模的曝光場布局在所述感光層中限定曝光場，并且所述曝光工具還被配置為基于套刻校正來更新所述設(shè)備參數(shù)；

套刻工具，被配置為測量所述曝光場布局與所述工件之間的套刻誤差，以在遍及所述工件的多個采樣位置處生成套刻誤差測量；以及

套刻控制工具，被配置為使用所述套刻誤差測量結(jié)果和參考場布局來訓(xùn)練無布局的場內(nèi)模型和無布局的場間模型，以將訓(xùn)練的所述無布局的場內(nèi)模型轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜趯⒈凰銎毓夤に囀褂玫南乱黄毓鈭霾季郑⑶腋鶕?jù)訓(xùn)練的所述無布局的場間模型和轉(zhuǎn)變的所述無布局的場內(nèi)模型來更新所述套刻校正，其中，所述下一曝光場布局不同于所述曝光場布局，

其中，所述無布局的場間模型定義了場間套刻誤差與場間套刻因子之間的關(guān)系，所述無布局的場內(nèi)模型定義了場內(nèi)套刻誤差與場內(nèi)套刻因子之間的關(guān)系，并且所述套刻控制工具被配置為訓(xùn)練所述無布局的場間模型和所述無布局的場內(nèi)模型以生成所述場間套刻因子的值和所述場內(nèi)套刻因子的值，

其中，所述轉(zhuǎn)變包括基于所述下一曝光場布局的場內(nèi)模型與所述參考場布局的訓(xùn)練的所述無布局的場內(nèi)模型的預(yù)定關(guān)系而轉(zhuǎn)變用于所述下一曝光場布局的所述場內(nèi)套刻因子的值。