[發明專利]帶高壓保護的雪崩焦平面圖像傳感器

在審

• 申請號: 201710084169.3
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN106791509A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 羅木昌;申志輝;周勛
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H04N5/374
• 分類號: H04N5/374;H04N5/378
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務所50215
• 代理人: 侯懋琪,侯春樂

1.一種帶高壓保護的雪崩焦平面圖像傳感器，其特征在于：所述帶高壓保護的雪崩焦平面圖像傳感器由雪崩焦平面探測器陣列、CMOS讀出電路和多個高壓保護單元組成；所述雪崩焦平面探測器陣列包括多個像素單元，所述CMOS讀出電路包括多個CTIA型讀出單元，多個像素單元與多個CTIA型讀出單元一一對應，互相匹配的像素單元和CTIA型讀出單元之間均設置有一高壓保護單元；所述高壓保護單元由限流電阻（1）、隔離電阻（2）和二極管（3）組成；所述限流電阻（1）的一端與像素單元的輸出端連接，限流電阻（1）的另一端與A節點連接，隔離電阻（2）的一端與A節點連接，隔離電阻（2）的另一端與CTIA型讀出單元的輸入端連接；二極管（3）的正極與A節點連接，二極管（3）的負極與限壓端口連接；所述二極管（3）的開啟電壓記為VD，所述限壓端口的輸出電壓記為HVCOM，所述CTIA型讀出單元中的放大器上的參考電壓記為VR，所述像素單元的工作電壓記為Vb，前述的VD、HVCOM、VR和Vb滿足如下關系：HVCOM大于VR，（HVCOM+VD）小于Vb；所述限流電阻（1）、隔離電阻（2）和二極管（3）均采用硅集成電路工藝制作。