[發明專利]晶片的檢查裝置、檢查方法以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710083811.6
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN107086185B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 渡部俊一
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種晶片的檢查裝置，其特征在于，具有：

晶片保持機構，其用于對晶片進行保持；

光源，其將被所述晶片遮擋、穿過裂紋的照射光照射至所述晶片的第1面，該裂紋從所述晶片的所述第1面起貫穿至第2面；以及

受光部，其設置于所述第2面側，對穿過了所述晶片的所述照射光進行受光，發出與所受光的所述照射光相應的信號，

所述光源發出的光包含紅外光，

所述受光部對所述紅外光的頻率不具有靈敏度。

2.根據權利要求1所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

所述照射光的波長小于或等于1100nm。

3.根據權利要求1所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

所述照射光是非紅外光。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

所述受光部對所述照射光的頻率具有靈敏度。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

具有判定部，該判定部使用所述信號對有無所述裂紋進行判定。

6.根據權利要求5所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

所述信號包含表示穿過了所述晶片的所述照射光的亮度的信號，

所述判定部將所述亮度與閾值進行比較。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

所述光源配置于由所述晶片和所述晶片保持機構進行了遮光的空間。

8.根據權利要求7所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

具有壓力調整部，該壓力調整部對所述空間的壓力進行調整，

所述晶片保持機構具有用于對所述晶片進行吸附的吸附機構。

9.根據權利要求8所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

所述壓力調整部對所述空間進行加壓。

10.根據權利要求8所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

所述壓力調整部對所述空間進行減壓。

11.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

具有溫度調整部，該溫度調整部對所述晶片進行加熱。

12.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，

具有框體，該框體用于相對于外部空間而對所述光源、所述晶片保持機構以及所述受光部進行遮光。

13.一種晶片的檢查方法，其特征在于，具有：

受光工序，在將被晶片遮擋、穿過裂紋的照射光和紅外光照射至所述晶片的第1面的狀態下，由在第2面側設置的受光部對穿過了所述晶片的所述照射光進行受光，其中，該裂紋從所述晶片的所述第1面起貫穿至所述第2面；以及

判定工序，根據所述受光部發出的與穿過了所述晶片的所述照射光相應的信號而對有無所述貫穿的裂紋進行判定，

所述受光部對所述紅外光的頻率不具有靈敏度。

14.根據權利要求13所述的晶片的檢查方法，其特征在于，

所述照射光的波長小于或等于1100nm。

15.根據權利要求13所述的晶片的檢查方法，其特征在于，

所述照射光是非紅外光。

16.根據權利要求13至15中任一項所述的晶片的檢查方法，其特征在于，

所述受光部對所述照射光的頻率具有靈敏度。