[發明專利]TLC芯片固態硬盤的動態分區存儲方法及裝置、系統

有效

• 申請號: 201710083745.2
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN106873912B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 王志浩
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 黨麗;王寶筠

本發明提供一種TLC芯片固態硬盤的動態分區存儲方法及其裝置、系統，在硬盤空間大于預設數值時，按照一個存儲單元存儲一位數據的方式將數據流存儲到硬盤中，而當硬盤空間小于預設數值時，硬盤空間分成三個區域，將已經存儲到硬盤中的熱、冷數據按照一個存儲單元存儲兩位數據和一個存儲單元存儲三位數據的方式分別移動存儲到另外的兩個區域中。這樣，在TLC芯片固態硬盤空間較大時，可以保證對硬盤的快速的讀寫，而在硬盤空間較小時，按照數據的使用頻率將數據移動到不同的區域，原區域仍用于快速數據的存儲，這樣，在兼顧數據讀寫速度的同時保證硬盤的正常操作，大大提高了低成本、大容量的TLC硬盤的性能。

技術領域

本發明涉及存儲系統領域，特別涉及一種TLC芯片固態硬盤的動態分區存儲方法及裝置、系統。

背景技術

隨著電子技術的不斷發展，對存儲介質的性能的要求也越來越高，閃存是新型非易失存儲介質的代表，具有讀寫速度高、低功耗和抗震等優點，廣泛應用于嵌入式設備、移動終端等消費類電子產品中。

目前，固態硬盤主要有SLC(Single-Level Cell)芯片固態硬盤、MLC(Multi-LevelCell)芯片固態硬盤和TLC(Trinary-Level Cell)芯片固態硬盤這三種類型，這三種固態硬盤相比，TLC芯片固態硬盤的存儲機制是3bit/1cell，存儲容量大，價格低廉但速度慢，這制約了TCL芯片固態硬盤在高性能電子產品中的應用，若能提高其讀寫速度，則可以大大降低應用成本。

發明內容

本發明旨在至少解決上述問題之一，提供一種TLC芯片固態硬盤的動態分區存儲方法及裝置、系統，提高TLC芯片固態硬盤的讀寫速度。

為實現上述目的，本發明有如下技術方案：

根據本發明的一個方面，一種TLC芯片固態硬盤的動態分區存儲方法，包括：

當TLC芯片固態硬盤的剩余存儲空間大于第一預設數值時，將數據流以第一方式存儲到TLC芯片固態硬盤中，以形成快速操作數據區；

當TLC芯片固態硬盤的剩余存儲空間小于第一預設數值時，以快速操作數據區所在的硬盤區域為第一區域，將第一區域中的熱數據以第二方式移動存儲到剩余存儲空間的第二區域中，將第一區域中的冷數據以第三方式移動存儲到剩余空間的第三區域中，其中，第一方式為每個存儲單元存儲一位數據的方式，第二方式為每個存儲單元存儲兩位數據的方式，第三方式為每個存儲單元中存儲三位數據的方式。

可選地，還包括：

當第一區域的剩余存儲空間大于第二預設數值時，將數據流以第一方式存儲到第一區域中；

當第一區域的剩余存儲空間小于第二預設數值時，判斷第二區域是否具有足夠的空間容納第一區域中的熱數據，若有，則將第一區域中的熱數據以第二方式移動存儲到第二區域中，若否，則將第一區域的至少部分空間增添到第二區域，并將第一區域中的熱數據以第二方式移動存儲到第二區域中；以及

判斷第三區域是否具有足夠的空間容納第一區域中的冷數據，若有，則將第一區域中的冷數據以第三方式移動存儲到第三區域中，若否，則將第一區域的至少部分空間增添到第三區域，并將第一區域中的冷數據以第三方式移動存儲到第三區域中。

可選地，還包括：

根據TLC芯片固態硬盤中各區域內存儲單元的剩余可擦寫次數，重新劃分TLC芯片固態硬盤的第一區域、第二區域和第三區域，并進行存儲數據的替換。

可選地，第一區域中冷數據和熱數據的確定方法包括：根據緩存中建立的冷熱數據鏈表，確定第一區域中的冷數據和熱數據。

可選地，第一區域中冷數據和熱數據的確定方法包括：根據最近一定時間段內對第一區域中的數據的訪問頻率，確定第一區域中的冷數據和熱數據。