[發(fā)明專利]動態(tài)隨機(jī)存取存儲器控制器及其控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710083485.9
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN106875970B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳忱;沈鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海兆芯集成電路有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種存儲器控制器，包括：

指令隊(duì)列，使要發(fā)送至動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的操作指令在其中排隊(duì)；以及

微控制器，

其中：

該微控制器視該指令隊(duì)列的內(nèi)容，對該動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的第一階層執(zhí)行一次性再充電或?qū)υ摰谝浑A層的多個存儲單元堆逐堆進(jìn)行再充電以便完成該第一階層的完全再充電，其中所述對該第一階層的多個存儲單元堆逐堆進(jìn)行再充電包括在監(jiān)控時間單位內(nèi)多個第一階層單堆再充電時間點(diǎn)對該動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的第一階層的多個存儲單元堆逐堆進(jìn)行再充電；

該微控制器視該指令隊(duì)列的內(nèi)容，對該動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的第二階層執(zhí)行一次性再充電或?qū)υ摰诙A層的多個存儲單元堆逐堆進(jìn)行再充電以便完成該第二階層的完全再充電，其中所述對該第二階層的多個存儲單元堆逐堆進(jìn)行再充電包括在該監(jiān)控時間單位內(nèi)多個第二階層單堆再充電時間點(diǎn)對該動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的第二階層的多個存儲單元堆逐堆進(jìn)行再充電；且

所述第二階層單堆再充電時間點(diǎn)與所述第一階層單堆再充電時間點(diǎn)一對一交錯。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其中：

所述第一階層單堆再充電時間點(diǎn)等距相距第一時間間隔。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其中：

所述第二階層單堆再充電時間點(diǎn)等距相距第二時間間隔。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其中：

所述第一階層單堆再充電時間點(diǎn)中對應(yīng)該第一階層的所述存儲單元堆中首存儲單元堆者為第一首時間點(diǎn)，且該第一首時間點(diǎn)重疊上述監(jiān)控時間單位的起始點(diǎn)。

5.如權(quán)利要求4所述的存儲器控制器，其中：

所述第一階層單堆再充電時間點(diǎn)中對應(yīng)該第一階層的所述存儲單元堆中末存儲單元堆者為第一末時間點(diǎn)；且

該監(jiān)控時間單位中的上述第一末時間點(diǎn)與下一監(jiān)控時間單位中的上述第一首時間點(diǎn)相距第一時間間隔，

其中所述第一階層單堆再充電時間點(diǎn)等距相距該第一時間間隔。

6.如權(quán)利要求4所述的存儲器控制器，其中：

所述第二階層單堆再充電時間點(diǎn)中對應(yīng)該第二階層的所述存儲單元堆中首存儲單元堆者為第二首時間點(diǎn)。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲器控制器，其中：

所述第一階層單堆再充電時間點(diǎn)中對應(yīng)該第一階層的所述存儲單元堆中次存儲單元堆者為第一次時間點(diǎn)；且

上述第一首時間點(diǎn)與第二首時間點(diǎn)的時間間隔等同上述第二首時間點(diǎn)與第一次時間點(diǎn)的時間間隔。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其中：

該微控制器更以一第一計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)對該第一階層完全再充電的次數(shù)；

該微控制器計(jì)時每逢一第一首時間點(diǎn)，即令該第一計(jì)數(shù)器減一，其中，所述第一階層單堆再充電時間點(diǎn)中對應(yīng)該第一階層的所述存儲單元堆中首存儲單元堆者為該第一首時間點(diǎn)；且

該微控制器是在該第一計(jì)數(shù)器為零但有對應(yīng)于該第一階層的存取指令等待于該指令隊(duì)列時，在上述第一階層單堆再充電時間點(diǎn)對該第一階層的所述存儲單元堆逐堆進(jìn)行再充電，使該第一階層未輪到再充電的存儲單元堆得以被存取。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲器控制器，其中：

該微控制器還以第二計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)對該第二階層完全再充電的次數(shù)；

該微控制器計(jì)時每逢第二首時間點(diǎn)，即令該第二計(jì)數(shù)器減一，其中，所述第二階層單堆再充電時間點(diǎn)中對應(yīng)該第二階層的所述存儲單元堆中一首存儲單元堆者為該第二首時間點(diǎn)；且

該微控制器是在該第二計(jì)數(shù)器為零但有對應(yīng)于該第二階層的存取指令等待于該指令隊(duì)列時，在上述第二階層單堆再充電時間點(diǎn)對該第二階層的所述存儲單元堆逐堆進(jìn)行再充電，使該第二階層未輪到再充電的存儲單元堆得以被存取。