[發(fā)明專利]量子點(diǎn)膜及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710083293.8 | 申請日： | 2017-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN106876560A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李龍基;曹蔚然 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50;H01L33/56;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所44237 | 代理人： | 黃志云 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 量子 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點(diǎn)膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)膜包括依次層疊設(shè)置的第一阻隔層、量子點(diǎn)層和第二阻隔層，其中，所述量子點(diǎn)層含有量子點(diǎn)和金屬納米顆粒，且以所述量子點(diǎn)層的總重量為100％計(jì)，所述金屬納米顆粒的重量百分含量為0.1-5％。
2.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)膜，其特征在于，所述金屬納米顆粒為金、銀、銅、鉑中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)膜，其特征在于，所述金屬納米顆粒為球形、棒狀、片狀，或
所述金屬納米顆粒為核殼結(jié)構(gòu)，所述核殼結(jié)構(gòu)以所述金屬納米顆粒為核，所述金屬納米顆粒表面包覆殼層，所述殼層為無機(jī)殼層或高分子有機(jī)殼層。
4.如權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)膜，其特征在于，所述殼層為二氧化硅、二氧化鈦、碳、聚乙烯吡咯烷酮中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1-4任一所述的量子點(diǎn)膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)層的厚度為50-200um；和/或
所述第一阻隔層、所述第二阻隔層的厚度單獨(dú)為10-500um。
6.如權(quán)利要求1-4任一所述的量子點(diǎn)膜，其特征在于，所述第一阻隔層由PET、PP、PVDF、PVA、無機(jī)金屬氧化物中的至少一種制成；和/或
所述第二阻隔層由PET、PP、PVDF、PVA、無機(jī)金屬氧化物中的至少一種制成。
7.一種量子點(diǎn)膜的制備方法，包括如下步驟：
提供量子點(diǎn)溶液、金屬納米顆粒溶液和固化聚合物前體，混合配置成量子點(diǎn)膠水；
提供第一阻隔層，在所述第一阻隔層表面沉積所述量子點(diǎn)膠水形成量子點(diǎn)膠水層，在所述量子點(diǎn)膠水層表面形成第二阻隔層，得到量子點(diǎn)膜預(yù)制品；
將所述量子點(diǎn)膜預(yù)制品進(jìn)行固化處理，得到量子點(diǎn)膜。
8.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)膜的制備方法，其特征在于，所述量子點(diǎn)溶液的濃度為10-50mg/ml。
9.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)膜的制備方法，其特征在于，所述固化聚合物前體為UV固化聚合物前體和熱固化聚合物前體的混合物，且以所述固化聚合物前體的總重為100％計(jì)，所述UV固化聚合物前體的重量百分含量為5-30％，所述熱固化聚合物前體的重量百分含量為70-95％。
10.如權(quán)利要求7-9任一所述的量子點(diǎn)膜的制備方法，其特征在于，所述固化處理為UV固化成型、熱固化處理中的至少一種。
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