[發(fā)明專利]一種氮化鎵功率器件及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710083258.6 | 申請日： | 2017-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN108447898A | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李東鍵;金榮善;金權(quán)濟;駱薇薇;孫在亨 | 申請（專利權(quán)）人： | 英諾賽科（珠海）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 519080 廣東省珠海市唐家灣鎮(zhèn)港灣大*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 子柵極 氮化鎵功率器件 面子 功率器件單元 第一端 基底 漏極 耐壓能力 相對設(shè)置 柵極結(jié)構(gòu) 硬擊穿 源極 制作 平行 | ||
1.一種氮化鎵功率器件，其特征在于，包括：
基底；
設(shè)置在所述基底上的多個功率器件單元；所述功率器件單元具有柵極、源極以及漏極；
所述柵極包括：平行且相對設(shè)置的第一子柵極以及第二子柵極；連接所述第一子柵極以及所述第二子柵極的曲面子柵極；所述第一子柵極具有第一端，所述第二子柵極具有與所述第一端相對設(shè)置的第二端；所述曲面子柵極分別與所述第一端以及所述第二端連接；
其中，所述漏極位于所述第一子柵極與所述第二子柵極之間；所述曲面子柵極的寬度大于所述第一子柵極以及所述第二子柵極的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述源極包括：相對且平行設(shè)置的第一子源極以及第二子源極；
其中，所述第一子源極與所述第一子柵極平行；所述第一子源極具有第三端；所述第二子源極具有與所述第三端相對設(shè)置的第四端；所述第三端與所述第四端的連線與所述第一子柵極以及所述第二子柵極相交，且與所述曲面子柵極不相交。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述曲面子柵極包括：第三子柵極以及與所述第三子柵極電接觸的第四子柵極；
其中，所述第三子柵極、所述第一子柵極以及所述第二子柵極均由第一柵極金屬層制備。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述第四子柵極由所述第一柵極金屬層制備；
或，所述第四子柵極由第二柵極金屬層制備，所述第一柵極金屬層與所述第二柵極金屬層不同。
5.根據(jù)權(quán)利了要求3所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述第四子柵極位于所述第三子柵極朝向所述漏極的一側(cè)；
或，所述第四子柵極位于所述第三子柵極背離所述漏極的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利了要求1所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述曲面子柵極在由所述第一端至所述第二端的延伸路徑上，中間部分的寬度最大，所述曲面子柵極的寬度由中間部分向兩端逐漸減小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述基底包括：柵極區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)；
在垂直于所述基底的方向上，所述柵極區(qū)的厚度大于所述源極區(qū)以及所述漏極區(qū)的厚度；所述柵極區(qū)具有AlGaN隔離層；
所述柵極設(shè)置在所述柵極區(qū)的表面，所述源極設(shè)置在所述源極區(qū)的表面，所述漏極設(shè)置在所述漏極區(qū)的表面；
所述源極通過源極場板以及設(shè)置在所述柵極區(qū)表面的源極歐姆金屬塊與所述AlGaN隔離層接觸，所述漏極通過漏極場板以及設(shè)置在所述柵極區(qū)表面的漏極歐姆金屬塊與所述AlGaN隔離層接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述基底的表面具有第一介質(zhì)層；所述源極歐姆金屬塊以及所述漏極歐姆金屬塊均位于所述第一介質(zhì)層與所述基底之間；
所述第一介質(zhì)層在所述源極區(qū)具有用于設(shè)置所述源極的源極開口，在所述漏極區(qū)具有用于設(shè)置所述漏極的開口，在所述柵極區(qū)具有用于設(shè)置所述柵極的柵極開口，在對應(yīng)所述源極歐姆金屬塊的位置具有用于與所述源極場板接觸的第一開口，在對應(yīng)所述漏極歐姆金屬塊的位置具有用于與所述漏極場板接觸的第二開口。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化鎵功率器件，其特在于，所述源極場板與所述源極歐姆金屬塊之間還具有第一導(dǎo)體塊；
所述漏極場板與所述漏極歐姆金屬塊之間還具有第二導(dǎo)體塊；
其中，所述第一導(dǎo)體塊、所述的第二導(dǎo)體塊以及所述柵極均由第一柵極金屬層制備。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述第一子柵極以及所述第二子柵極的寬度相同；
所述曲面子柵極的寬度大于或等于所述第一子柵極的寬度的1.1倍，且小于或等于所述第一子柵極的寬度的3倍。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
