[發明專利]一種單顆LED芯片微小化多色發光處理方法

有效

• 申請號: 201710082982.7
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN106876536B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 崔杰;彭友;陳龍;丁磊
• 申請（專利權）人: 安徽芯瑞達科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50
• 代理公司: 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390
• 代理人: 胡劍輝

本發明提供了一種單顆LED芯片微小化多色發光處理方法，其特征在于，包括以下步驟：S1：將藍光芯片上表面分為A區域、B區域、C區域三個區域，先在藍光芯片表面涂上熒光膠A和光刻膠，對B區域、C區域進行曝光，對A區域進行顯影，去除顯影部分的光刻膠A，去除曝光區域的熒光膠A；S2：在藍光芯片表面涂上熒光膠B與光刻膠，對B曝光進行顯影，然后去膠；S3：在藍光芯片表面涂抹熒光膠C和光刻膠，對A區域、B區域進行曝光，對C區域進行顯影，去膠。本可實現微小化，同顆芯片做到已um為單位的小區域RGB單色光發光區域，已滿足如今清晰度越來越高的液晶面板的要求。

技術領域

本發明涉及到LED技術領域，特別是一種單顆LED芯片微小化多色發光處理方法。

背景技術

發明原因，多色小尺寸芯片的需求很高。在大功率照明領域，采用多個小芯片串并聯的技術已經使用的很成熟也很廣泛。和單一大功率芯片比起來，此工藝的芯片成本較低，整體的散熱性也更好、光效更高、光衰更慢，可同時達到高效率及高功率的目標，雖然有工序較復雜、信賴性較低等隱憂，但也難以動搖它的地位。其次，在顯示屏應用的領域,RGB多芯片封裝是一個主流的工藝，隨著象素的密度越高(即分辨率越高)，單位面積下單個象素點的尺寸就必須越來越小，在逐漸朝著”小間距化”方向發展的同時，所能使用的R、G、B三色芯片的尺寸也必須越來越小，藉此滿足市場上高分辨率的要求。

光刻的步驟主要有：前處理、旋涂光刻膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、檢查圖形幾個步驟。

光刻通常分為以光子為光源的光刻技術、以粒子為光源的光刻技術以及物理接觸式光刻技術。在上述光刻技術中，以光子為基礎的光刻技術種類很多，其原理是當光照射到光刻膠上時，受到光照的部分發生降解反應而能被顯影液溶解(正膠)，或發生交鏈反應而成為不溶物(負膠)，正膠顯影后的圖形與掩膜板上圖形一致，負膠顯影后的圖形與掩膜板上互補。

傳統方法是利用小的R、G、B芯片封裝，但該方法存在缺陷很明顯。詳細如下：

小芯片無法做到微小化，常規小芯片規格也在6-8mil左右；

每顆芯片采用打線或倒裝方式封裝，異常概率比較高，如何將小芯片完成合適的固晶，較難；如何在小芯片小pad上打好金線，也是個難題。容易出現打線異常；

小芯片串并聯封裝，增加了整體出現異常的概率；

小芯片固晶、焊線，需要每顆抓取花費時間長，對產能降低非常明顯。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供了一種單顆LED芯片微小化多色發光處理方法，其包括以下步驟：

S1：將藍光芯片上表面分為A區域、B區域、C區域三個區域，先在藍光芯片表面涂上熒光膠A和光刻膠，對B區域、C區域進行曝光，對A區域進行顯影，去除顯影部分的光刻膠A，去除曝光區域的熒光膠A；

S2：在藍光芯片表面涂上熒光膠B與光刻膠，對B曝光進行顯影，對A區域、C區域進行曝光，去顯影區域的光刻膠和曝光區域熒光膠B；

S3：在藍光芯片表面涂抹熒光膠C和光刻膠，對A區域、B區域進行曝光，對C區域進行顯影，去顯影區域的光刻膠和曝光區域熒光膠C；最后得到得到藍光芯片搭配熒光膠A、熒光膠B、熒光膠C，所述A區域、B區域、C區域表面分別附有熒光膠A、熒光膠B、熒光膠C。

較佳地，所述光刻膠A為使芯片發紅光的熒光膠，所述光刻膠B使芯片發藍光的熒光膠，所述光刻膠C為使芯片發綠光的熒光膠。

本發明具有以下有益效果：

本發明可實現微小化，同顆芯片做到以um為單位的小區域RGB單色光發光區域，以滿足如今清晰度越來越高的液晶面板的要求；

利用大芯片、倒裝或者CSP芯片，減低固晶、打線的次數和難度；