[發(fā)明專(zhuān)利]一種圖像模板優(yōu)化提速方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710082970.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106876535B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔杰;彭友;陳龍;丁磊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 安徽芯瑞達(dá)科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司: | 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡劍輝 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市經(jīng)*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圖像 模板 優(yōu)化 提速 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種圖像模板優(yōu)化提速方法,其包括以下步驟:選取大族隱形切割機(jī)臺(tái),建立2種芯片參數(shù)檔,2種參數(shù)檔的區(qū)別為第二面圖像模板不同;參數(shù)檔A為4電極2切割道模板,按原建立模板方法建立第二面圖像模板;參數(shù)檔B為2電極1切割道模板,按新模板建立方法,建立第二面圖像模板;劃片作業(yè)時(shí),劃片機(jī)臺(tái)作業(yè)完芯片第一面,旋轉(zhuǎn)至第二面,采用2電極1切割道模板法,快速準(zhǔn)確的定位第二面圖像,有效的縮短了劃片作業(yè)時(shí)間。本發(fā)明采用激光切割機(jī)臺(tái)2電極1切割道模板法,減少了模板匹配時(shí)間,增加匹配成功率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及到LED芯片技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種圖像模板優(yōu)化提速方法。
背景技術(shù)
LED芯片的制造工藝流程:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試→分選→外觀測(cè)試→打標(biāo)入庫(kù)。
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜的,在展完外延片后,下一步就開(kāi)始對(duì)LED外延片做電極(P極,N極),接著就開(kāi)始用激光機(jī)切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用鉆石刀),制造成芯片后。
1、主要對(duì)電壓、波長(zhǎng)、亮度進(jìn)行測(cè)試,能符合正常出貨標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作,如果這九點(diǎn)測(cè)試不符合相關(guān)要求的晶圓片,就放在一邊另外處理。
2、晶圓切割成芯片后,100%的目檢(VI/VC),操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進(jìn)行目測(cè)。
3、接著使用全自動(dòng)分類(lèi)機(jī)根據(jù)不同的電壓,波長(zhǎng),亮度的預(yù)測(cè)參數(shù)對(duì)芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測(cè)試和分類(lèi)。
4、最后對(duì)LED芯片進(jìn)行檢查(VC)和貼標(biāo)簽。芯片區(qū)域要在藍(lán)膜的中心,藍(lán)膜上最多有5000粒芯片,但必須保證每張藍(lán)膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒,芯片類(lèi)型、批號(hào)、數(shù)量和光電測(cè)量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)記錄在標(biāo)簽上,附在蠟光紙的背面。藍(lán)膜上的芯片將做最后的目檢測(cè)試與第一次目檢標(biāo)準(zhǔn)相同,確保芯片排列整齊和質(zhì)量合格。這樣就制成LED芯片(目前市場(chǎng)上統(tǒng)稱(chēng)方片)。
存在著下述缺陷:大族隱形切割機(jī)臺(tái)圖像模板是比對(duì)切割道附近,框住電極的矩形圖像,根據(jù)圖像中電極和電極外的圖像灰階來(lái)比對(duì)圖型。但由于現(xiàn)在尺寸越來(lái)越大,電極離切割道相交中心越來(lái)越遠(yuǎn);第一面切割完后,切割道上會(huì)有很大炸裂開(kāi)來(lái)的裂紋,在比對(duì)第二面時(shí),該區(qū)域會(huì)出現(xiàn)無(wú)法比對(duì)的情況。以上兩種情況均會(huì)浪費(fèi)很多時(shí)間不斷尋找可以匹配的圖像,甚至找了很長(zhǎng)時(shí)間,仍沒(méi)找到,最后報(bào)警,浪費(fèi)時(shí)間,降低了產(chǎn)能。
大族隱形切割機(jī)臺(tái)作業(yè)方式為,先進(jìn)行圖像模板比對(duì),調(diào)整晶圓水平,并按切割道定位,進(jìn)行第一面劃片;旋轉(zhuǎn)90°,進(jìn)行第二面圖像模板比對(duì),調(diào)整晶圓水平,并按切割道定位,進(jìn)行第二面劃片。在第二面圖像模板比對(duì)時(shí),切割道炸痕不一,嚴(yán)重影響圖像模板比對(duì)效率。為了提升第二面圖像模板比對(duì)效率,在制作第二面圖像模板時(shí),避開(kāi)第一面切割道炸裂影響。特此,將4電極2切割道模板,更改為2電極1切割道模板。成功避開(kāi)第一面劃裂切割道炸痕影響。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種圖像模板優(yōu)化提速方法,其包括以下步驟:
選取隱形切割機(jī)臺(tái),建立兩種芯片參數(shù)檔,分別為參數(shù)檔A與參數(shù)檔B,兩種參數(shù)檔的區(qū)別為第二面圖像模板不同;
其中參數(shù)檔A為4電極2切割道模板,按所述4電極2切割道模板建立第二面圖像模板;參數(shù)檔B為2電極1切割道模板,按所述2電極1切割道模板建立第二面圖像模板;
劃片作業(yè)時(shí),劃片機(jī)臺(tái)作業(yè)完芯片第一面,旋轉(zhuǎn)至第二面,但由于部分切割道炸得很開(kāi),選用所述2電極1切割道模板建立第二面圖像模板,避免由于第一面的裂紋過(guò)大造成的圖像匹配失敗;最終,通過(guò)第二面圖像模板完成第二面圖像的定位,劃片機(jī)根據(jù)第二面圖像模板完成劃片。
本發(fā)明具有以下有益效果:
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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